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1. (WO2011152256) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/152256    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/061927
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 25.05.2011
CIB :
H04B 1/44 (2006.01), H03H 7/46 (2006.01)
Déposants : Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
HAYAKAWA Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYAKAWA Masashi; (JP)
Mandataire : Kaede Patent Attorneys' Office; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-125453 01.06.2010 JP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a high frequency module (11) which is provided with an inductor (Lt1) and an ESD protection element (12). The inductor (Lt1) is a circuit element that constitutes a low-pass filter (LPF), and has a parasitic capacitance between a signal line and the ground in a specific frequency region. The ESD protection element (12) has a function of releasing, to the ground, a surge current flowing in the signal line, and also has a capacitor (Cesd1) in the specific frequency region, and the capacitor (Cesd1) and the parasitic capacitance of the inductor (Lt1) are connected in parallel.
(FR)L'invention concerne un module haute fréquence (11) qui comprend un inducteur (Lt1) et un élément de protection ESD (12). L'inducteur (Lt1) est un élément de circuit qui constitue un filtre passe-bas (LPF), et a une capacité passive entre une ligne de signal et la terre dans une région de fréquence spécifique. L'élément de protection ESD (12) a une fonction d'émission, vers la terre, d'un courant de choc circulant dans la ligne de signal, et a également un condensateur (Cesd1) dans la région de fréquence spécifique, et le condensateur (Cesd1) et la capacité passive de l'inducteur (Lt1) sont connectés en parallèle.
(JA) 高周波モジュール(11)は、インダクタ(Lt1)と、ESD保護素子(12)とを備える。インダクタ(Lt1)は、ローパスフィルタ(LPF)を構成する回路素子であって、特定の周波数帯域で信号ラインとグランドとの間に寄生容量を持つ。ESD保護素子(12)は、信号ラインを流れるサージ電流をグランドに逃がす機能を持つとともに、特定の周波数帯域でキャパシタ(Cesd1)を持ち、キャパシタ(Cesd1)とインダクタ(Lt1)の寄生容量とは並列接続される構成である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)