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1. (WO2011151901) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2011/151901    International Application No.:    PCT/JP2010/059362
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Thu Jun 03 01:59:59 CEST 2010
IPC: H01L 29/47
H01L 29/872
Applicants: HITACHI, LTD.
株式会社日立製作所
KAMESHIRO, Norifumi
亀代 典史
YOKOYAMA, Natsuki
横山 夏樹
Inventors: KAMESHIRO, Norifumi
亀代 典史
YOKOYAMA, Natsuki
横山 夏樹
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne une diode JBS, une augmentation d'une tension étant empêchée par la propagation suffisante d'un courant vers la partie inférieure d'une zone de barrière de jonction (p+). La diode JBS présente une structure possédant une zone n présentant une concentration relativement élevée en comparaison de la concentration d'une couche de dérive n-, ladite zone n se trouvant dans la partie inférieure de la barrière de fonction (p+).