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1. (WO2011151901) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/151901    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/059362
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 02.06.2010
CIB :
H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (Tous Sauf US).
KAMESHIRO, Norifumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOKOYAMA, Natsuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAMESHIRO, Norifumi; (JP).
YOKOYAMA, Natsuki; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates 3F Shinjuku Gyoen Bldg. 3-10, Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a JBS diode wherein an increase of an on-voltage is suppressed by sufficiently spreading a current to the lower portion of a junction barrier (p+) region. The JBS diode has a structure, which has an n region having a relatively high concentration compared with the n- drift layer concentration, said n region being in the lower portion of the junction barrier (p+) region.
(FR)La présente invention concerne une diode JBS, une augmentation d'une tension étant empêchée par la propagation suffisante d'un courant vers la partie inférieure d'une zone de barrière de jonction (p+). La diode JBS présente une structure possédant une zone n présentant une concentration relativement élevée en comparaison de la concentration d'une couche de dérive n-, ladite zone n se trouvant dans la partie inférieure de la barrière de fonction (p+).
(JA) JBS構造ダイオードにおいて、接合障壁(p+)領域下部まで十分に電流を広げることでオン電圧の上昇を抑制する。JBS構造ダイオードにおいて、接合障壁(p+)領域下部にn-型ドリフト層濃度よりも相対的に高濃度なn領域を有する構造とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)