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1. (WO2011151409) PROCÉDÉ POUR ÉLIMINER DES IMPURETÉS EXTRINSÈQUES RÉSIDUELLES DANS UN SUBSTRAT EN ZnO OU EN ZnMgO DE TYPE N, ET POUR RÉALISER UN DOPAGE DE TYPE P DE CE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/151409    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/059130
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 01.06.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.12.2011    
CIB :
H01L 21/425 (2006.01), H01L 21/477 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25, rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
BISOTTO, Isabelle [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
FEUILLET, Guy [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BISOTTO, Isabelle; (FR).
FEUILLET, Guy; (FR)
Mandataire : AUGARDE, Eric; Brevalex 56 boulevard de l'Embouchure B.P. 27519 F-31075 Toulouse Cedex 2 (FR)
Données relatives à la priorité :
1054370 03.06.2010 FR
Titre (EN) METHOD FOR REMOVING RESIDUAL EXTRINSIC IMPURITIES IN AN N TYPE ZNO OR ZNMGO SUBSTRATE, AND FOR ACCOMPLISHING P TYPE DOPING OF SAID SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR ÉLIMINER DES IMPURETÉS EXTRINSÈQUES RÉSIDUELLES DANS UN SUBSTRAT EN ZnO OU EN ZnMgO DE TYPE N, ET POUR RÉALISER UN DOPAGE DE TYPE P DE CE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for purifying an n-type substrate made of ZnO and/or ZnMgO for reducing or removing the residual extrinsic impurities of the substrate with a view to p type doping at least a portion of the substrate, wherein a reactive species having a strong chemical affinity with at least one of the residual extrinsic impurities and/or capable of creating crystalline defects is introduced into at least one area of the substrate, said reactive species consisting of P, thus creating at least one so-called "getter" zone in the substrate, said zone being capable of trapping said residual extrinsic impurities and/or in which zone the residual extrinsic impurities are trapped; the substrate then annealed to diffuse the residual extrinsic impurities toward the "getter" zone, and/or out of the "getter" zone, preferably toward at least one surface of the substrate. The invention further relates to a method for preparing a substrate made of p-doped ZnO and/or ZnMgO including at least one step of purifying an n-type substrate made of ZnO and/or ZnMgO by the above purification method, wherein one or more reactive specie(s) not limited to phosphorus alone is/are employed.
(FR)Procédé de purification d'un substrat en ZnO et/ou en ZnMgO de type n pour réduire ou éliminer les impuretés extrinsèques résiduelles du substrat en vue du dopage de type p d'au moins une partie du substrat, dans lequel on introduit dans au moins une zone du substrat une espèce réactive ayant une forte affinité chimique avec au moins une des impuretés extrinsèques résiduelles, et/ou étant capable de créer des défauts cristallins, ladite espèce réactive étant du P, et l'on crée ainsi dans le substrat au moins une zone dite zone « getter » capable de piéger lesdites impuretés extrinsèques résiduelles et/ou dans laquelle les impuretés extrinsèques résiduelles sont piégées; puis on réalise un recuit du substrat pour faire diffuser les impuretés extrinsèques résiduelles vers la zone « getter », et/ou hors de la zone « getter », de préférence vers au moins une surface du substrat. Procédé de préparation d'un substrat en ZnO et/ou en ZnMgO dopé de type p comprenant au moins une étape de purification d'un substrat en ZnO et/ou en ZnMgO de type n par le procédé de purification ci- dessus, dans lequel on met en œuvre une ou plusieurs espèce (s) réactive (s) non limitée (s) au seul phosphore.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)