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1. (WO2011150750) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE COMPRENANT UNE RÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/150750 N° de la demande internationale : PCT/CN2011/074323
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 19.05.2011
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
Déposants : LIU, Lifeng[CN/CN]; CN (UsOnly)
KANG, Jinfeng[CN/CN]; CN (UsOnly)
HAO, Yue[CN/CN]; CN (UsOnly)
LIU, Xiaoyan[CN/CN]; CN (UsOnly)
CHEN, Yuansha[CN/CN]; CN (UsOnly)
GAO, Bin[CN/CN]; CN (UsOnly)
WANG, Yi[CN/CN]; CN (UsOnly)
PEKING UNIVERSITY[CN/CN]; #5 Yiheyuan Road, Haidian District Beijing 100871, CN (AllExceptUS)
Inventeurs : LIU, Lifeng; CN
KANG, Jinfeng; CN
HAO, Yue; CN
LIU, Xiaoyan; CN
CHEN, Yuansha; CN
GAO, Bin; CN
WANG, Yi; CN
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza No. 1, Wangzhuang Rd., Haidian District Beijing 100083, CN
Données relatives à la priorité :
201010198025.903.06.2010CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY CELL INCLUDING RESISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE COMPRENANT UNE RÉSISTANCE
(ZH) 包含电阻器的存储单元的制造方法
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing memory cell including resistor is provided, which includes the following steps: a) forming a bottom electrode layer on an insulation substrate; b) forming a varistor material layer on the bottom electrode layer by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD); c) forming a top electrode layer on the varistor material layer; and d) patterning the top electrode layer and the varistor material layer, so as to form the separated memory cells. The varistor material layer with precisely controllable thickness, component and good uniformity can be manufactured by MOCVD, thus RRAM memory cell including Metal-Oxide-Metal (MOM) structure with good interface characteristics can be acquired.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule de mémoire comprenant une résistance, comportant les étapes suivantes : a) former une couche d'électrode inférieure sur un substrat isolant; b) former une couche de matériau de varistor sur la couche d'électrode inférieure, par dépôt chimique en phase vapeur avec précurseurs organométalliques (MOCVD); c) former une couche d'électrode supérieure sur la couche de matériau de varistor; et d) graver la couche d'électrode supérieure et la couche de matériau de varistor afin de former des cellules de mémoire distinctes. La couche de matériau de varistor peut être fabriquée par MOCVD avec une épaisseur contrôlée précisément, une bonne uniformité et des composants contrôlés précisément, si bien qu'il est possible d'obtenir des cellules de mémoire RRAM avec structure MOM et de bonnes caractéristiques d'interface.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)