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1. (WO2011150749) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/150749    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/074319
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 19.05.2011
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; #5 Yiheyuan Road Haidian District Beijing 100871 (CN) (Tous Sauf US).
KANG, Jinfeng [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
GAO, Bin [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CHEN, Yuansha [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
SUN, Bing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Lifeng [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Xiaoyan [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : KANG, Jinfeng; (CN).
GAO, Bin; (CN).
CHEN, Yuansha; (CN).
SUN, Bing; (CN).
LIU, Lifeng; (CN).
LIU, Xiaoyan; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza No.1, Wangzhuang Rd. Haidian District, Beijing 100083 (CN)
Données relatives à la priorité :
201010198033.3 03.06.2010 CN
Titre (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
(ZH) 阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法
Abrégé : front page image
(EN)A resistive random access memory (RRAM) device, a manufacturing method thereof and an operation method thereof are provided. The RRAM includes a resistive memory element (120) and a Schottky diode (130). The resistive memory element (120) comprises two electrodes and a resistive material layer disposed between the two electrodes, and has bipolar resistive characteristics. The Schottky diode (130) comprises a metal layer and a semiconductor layer, which contact each other. The metal layer of the Schottky diode (130) is connected to an electrode of the resistive memory element (120). Thereby the RRAM device configured of 1D-1R can operate in a bipolar manner.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire résistive (RRAM), son procédé de fabrication, et son procédé de fonctionnement. La mémoire résistive comprend un élément de mémoire résistif (120) et une diode Schottky (130). L'élément de mémoire résistif (120) comprend deux électrodes et une couche de matériau résistif disposée entre les deux électrodes, et possède des caractéristiques de résistivité bipolaire. La diode Schottky (130) comprend une couche métallique et une couche semi-conductrice en contact l'une avec l'autre. La couche métallique de la diode Schottky (130) est reliée à une électrode de l'élément de mémoire résistif (120). Ladite mémoire résistive à configuration 1D-1R peut fonctionner de manière bipolaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)