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1. (WO2011150539) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN EMPILEMENT DE GRILLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/150539    N° de la demande internationale :    PCT/CN2010/001437
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 19.09.2010
CIB :
H01L 27/092 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 West Road North TuCheng Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
ZHONG, Huicai [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LUO, Zhijiong [CN/US]; (US) (US Seulement).
LIANG, Qingqing [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : ZHONG, Huicai; (CN).
LUO, Zhijiong; (US).
LIANG, Qingqing; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT CO., LTD; 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza No. 1, Wangzhuang Road Haidian District Beijing 100083 (CN)
Données relatives à la priorité :
201010197080.6 03.06.2010 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING GATE STACK
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN EMPILEMENT DE GRILLES
(ZH) 半导体器件和栅极堆叠的制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method of manufacturing a gate stacked structure with sacrificial metal deoxygenated sidewalls (240). The method includes: forming the gate stacked structure consisting of an interface oxide layer(220), a high K dielectric layer(230) and a metal gate electrode(250) on a semiconductor substrate(200); conformably depositing a metal layer covering the semiconductor substrate(200) and the gate stacked structure; and selectively etching the metal layer, to remove the metal layer which covers the semiconductor substrate(200) and the top of the gate stacked structure, only remain the sacrificial metal deoxygenated sidewalls(240) surrounding the gate stacked structure. It also provides a semiconductor device produced by the above processes.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée de grilles avec des parois latérales désoxygénées de métal sacrificiel (240). Ledit procédé consiste à former la structure empilée de grilles composée d'une couche d'oxyde d'interface (220), d'une couche diélectrique à K élevé (230) et d'une électrode de grille métallique (250) sur un substrat semi-conducteur (200); déposer une couche métallique enrobante recouvrant le substrat semi-conducteur (200) et la structure empilée de grilles; et graver sélectivement la couche métallique pour retirer la couche métallique qui recouvre le substrat semi-conducteur (200) et le haut de la structure empilée de grilles, en ne laissant que les parois latérales désoxygénées de métal sacrificiel (240) entourant la structure empilée de grilles. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur fabriqué par ledit procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)