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1. (WO2011150311) SUPPORTS DE SUBSTRATS POUR APPLICATIONS DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/150311 N° de la demande internationale : PCT/US2011/038296
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 27.05.2011
CIB :
H01L 21/683 (2006.01) ,H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : CHO, Jaeyong[KR/US]; US (UsOnly)
SIRMAN, John[GB/US]; US (UsOnly)
PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 39 Old Ridgebury Road Danbury, CT 06810, US (AllExceptUS)
Inventeurs : CHO, Jaeyong; US
SIRMAN, John; US
Mandataire : DALAL, Nilay, S.; Praxair, Inc. 39 Old Ridgebury Road Danbury, CT 06810, US
Données relatives à la priorité :
61/349,54428.05.2010US
Titre (EN) SUBSTRATE SUPPORTS FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS
(FR) SUPPORTS DE SUBSTRATS POUR APPLICATIONS DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) This invention relates to substrate supports, e.g., coated electrostatic chucks, having a dielectric multilayer formed thereon; dielectric multilayers that provide erosive and corrosive barrier protection in harsh environments such as plasma treating vessels used in semiconductor device manufacture; process chambers, e.g., deposition chambers, for processing substrates; methods for protecting substrate supports; and methods for producing substrate supports and electronic devices. The dielectric multilayer comprises (a) an undercoat dielectric layer comprising a metal oxide or metal nitride formed on a surface; and (b) a topcoat dielectric layer comprising a metal oxide formed on the undercoat dielectric layer. The topcoat dielectric layer has an aluminum oxide content of less than about 1 weight percent. The topcoat dielectric layer has a corrosion resistance and/or plasma erosion resistance greater than the corrosion resistance and/or plasma erosion resistance of the undercoat dielectric layer. The undercoat dielectric layer can have a resistivity greater than the resistivity of the topcoat dielectric layer. The topcoat dielectric layer can have a dielectric constant greater than the dielectric constant of the undercoat dielectric layer. The undercoat dielectric layer can have a porosity greater than the porosity of the topcoat dielectric layer. The invention is useful, for example, in the manufacture and protection of electrostatic chucks used in semiconductor device manufacture.
(FR) L'invention concerne : des supports de substrats, par exemple des mandrins électrostatiques revêtus, sur lesquels est formée une multicouche diélectrique; des multicouches diélectriques qui réalisent une protection par barrière contre l'érosion et la corrosion dans des environnements sévères tels que les enceintes de traitement au plasma qui sont utilisées dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs; des chambres de traitement, par exemple des chambres de dépôt, pour le traitement des substrats; des procédés pour la production de supports de substrats et de dispositifs électroniques. La multicouche diélectrique comprend : (a) une couche diélectrique inférieure comprenant un oxyde métallique ou un nitrure métallique formé sur une surface; et (b) une couche diélectrique supérieure comprenant un oxyde métallique, formée sur la couche diélectrique inférieure. La couche diélectrique supérieure présente une teneur en oxyde d'aluminium qui est inférieure à 1 pour cent en masse. La couche diélectrique supérieure a une résistance à la corrosion et/ou une résistance à l'érosion plasma qui est supérieure à la résistance à la corrosion et/ou à la résistance à l'érosion plasma de la couche diélectrique inférieure. La couche diélectrique inférieure peut avoir une résistivité supérieure à la résistivité de la couche diélectrique supérieure. La couche diélectrique supérieure peut avoir une constante diélectrique supérieure à la constante diélectrique de la couche diélectrique inférieure. La couche diélectrique inférieure peut avoir une porosité supérieure à la porosité de la couche diélectrique supérieure. L'invention est utile, par exemple, dans la fabrication et la protection de mandrins électrostatiques utilisés dans la production de dispositifs à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)