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1. (WO2011150170) STRUCTURES ET PROCÉDÉS POUR MRAM À RÉINITIALISATION DE CHAMP ET COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN

Pub. No.:    WO/2011/150170    International Application No.:    PCT/US2011/038081
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Fri May 27 01:59:59 CEST 2011
IPC: G11C 11/16
Applicants: EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC.
ANDRE, Thomas
TEHRANI, Saied
SLAUGHTER, Jon
RIZZO, Nicholas
Inventors: ANDRE, Thomas
TEHRANI, Saied
SLAUGHTER, Jon
RIZZO, Nicholas
Title: STRUCTURES ET PROCÉDÉS POUR MRAM À RÉINITIALISATION DE CHAMP ET COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN
Abstract:
On décrit un système et un procédé de programmation d'une matrice mémoire magnétorésistive à couple de transfert de spin, qui comprend une ligne de réinitialisation métallique placée à proximité de chaque bit d'une pluralité de bits magnétorésistifs et conçue pour régler la pluralité des éléments de matrice mémoire magnétorésistive sur un état connu, par génération d'un champ magnétique lorsqu'elle est parcourue par un courant électrique. Un courant de transfert de couple de spin est ensuite appliqué sur des bits magnétorésistifs sélectionnés afin de les commuter sur un état programmé. Dans un autre mode de fonctionnement, une résistance de la pluralité de bits est détectée avant génération du champ magnétique. La résistance est de nouveau détectée après génération du champ magnétique et les données représentées par l'état initial de chaque bit sont déterminées en fonction des variations de la résistance. Un courant de transfert de couple de spin est ensuite appliqué uniquement sur ceux des bits magnétorésistifs présentant une résistance différente de celle qui existait avant application du champ magnétique.