WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011150152) PROTECTION PAR CODE EXTERNE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/150152    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/038039
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 26.05.2011
CIB :
G06F 11/10 (2006.01)
Déposants : SEAGATE TECHNOLOGY LLC; 10200 South Deanza Boulevard Cupertino, CA 95014 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : RUB, Bernie, Bernardo; (US).
SRIDHARAN, Arvind; (US).
PATAPOUTIAN, Ara; (US).
BUCH, Bruce, Douglas; (US)
Mandataire : PECHMAN, Robert, J.; 1280 Disc Drive Shakopee, MN 55379 (US)
Données relatives à la priorité :
12/790,120 28.05.2010 US
Titre (EN) OUTER CODE PROTECTION FOR SOLID STATE MEMORY DEVICES
(FR) PROTECTION PAR CODE EXTERNE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Outer code words can span multiple data blocks, multiple die, or multiple chips of a memory device to protect against errors in the data stored in the blocks, die and/or chips. A solid state memory device is arranged in multiple data blocks, each block including an array of memory cells arranged in a plurality of pages. The data is encoded into inner code words and symbol-based outer code words. The inner code words and the symbol-based outer code words are stored in the memory cells of the multiple blocks. One or more inner code words are stored in each page of each block and one or more symbols of each outer code word are stored in at least one page of each block. The inner code words and the outer code words are read from the memory device and are used to correct the errors in the data.
(FR)Selon l'invention, des mots de code externe peuvent s'étaler sur de multiples blocs de données, de multiples puces ou de multiples microplaquettes d'un dispositif de mémoire pour protéger contre des erreurs les données stockées dans les blocs, les puces et/ou les microplaquettes. Un dispositif de mémoire à semi-conducteur est disposé en de multiples blocs de données, chaque bloc comprenant une matrice de cellules de mémoire disposée en une pluralité de pages. Les données sont codées en mots de code interne et mots de code externe à base de symbole. Les mots de code interne et les mots de code externe à base de symbole sont stockés dans les cellules de mémoire des multiples blocs. Un ou plusieurs mots de code interne sont stockés dans chaque page de chaque bloc et un ou plusieurs symboles de chaque mot de code externe sont stockés dans au moins une page de chaque bloc. Les mots de code interne et les mots de code externe sont lus dans le dispositif de mémoire et sont utilisés pour corriger les erreurs dans les données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)