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1. (WO2011150137) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR AMÉLIORÉS FAISANT APPEL À DES MATÉRIAUX ORGANIQUES PHOTOACTIFS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/150137    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/038017
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 26.05.2011
CIB :
H01L 51/00 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US) (Tous Sauf US).
FONG, Hon Hang [CN/CN]; (HK) (US Seulement).
HE, Mingqian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FONG, Hon Hang; (HK).
HE, Mingqian; (US)
Mandataire : HOMA, Joseph M.; Corning Incorporated SP-Ti-03-01 Intellectual Property Department Corning, New York 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
12/790,113 28.05.2010 US
Titre (EN) ENHANCED TRANSISTORS EMPLOYING PHOTOACTIVE ORGANIC MATERIALS AND METHODS OF MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR AMÉLIORÉS FAISANT APPEL À DES MATÉRIAUX ORGANIQUES PHOTOACTIFS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus provide for a transistor, including: a semiconductor layer (102) including molecules, protons, and/or ions, etc. diffused therein from a photoactive material (122); a channel disposed on or in the semiconductor layer; a source (106) disposed on or in the semiconductor layer; a drain (108) disposed on or in the semiconductor layer; and a gate (104) electrically coupled to the semiconductor layer.
(FR)La présente invention concerne des procédés et un appareil fournissant un transistor, comprenant : une couche à semi-conducteur comportant des molécules, des protons, et/ou des ions, etc. diffusés dans celle-ci à partir d'un matériau photoactif ; un canal disposé sur ou dans la couche à semi-conducteur ; une source disposée sur ou dans la couche à semi-conducteur ; un drain disposé sur ou dans la couche à semi-conducteur ; et une porte couplée électriquement à la couche à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)