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1. (WO2011150134) DIODES LASER À BASE DE GAN OÙ LES DISLOCATIONS D'INTERFACE SONT DÉPLACÉES DE LA RÉGION ACTIVE

Pub. No.:    WO/2011/150134    International Application No.:    PCT/US2011/038014
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Fri May 27 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01S 5/343
H01S 5/32
Applicants: CORNING INCORPORATED
BHAT, Rajaram
SIZOV, Dmitry
Inventors: BHAT, Rajaram
SIZOV, Dmitry
Title: DIODES LASER À BASE DE GAN OÙ LES DISLOCATIONS D'INTERFACE SONT DÉPLACÉES DE LA RÉGION ACTIVE
Abstract:
L'invention porte sur un laser à émission latérale à base de GaN comprenant: un substrat semi-polaire de GaN 10, une région active 20, une couche guide d'onde côté N 30, une couche guide d'onde côté P 40, une couche d'habillage de type N 50, et une couche d'habillage de type P 60. Le substrat de GaN se caractérise par une densité de dislocations traversantes de l'ordre d'environ 1x106/cm2. Le produit contrainte-épaisseur de la couche guide d'onde côté N dépasse sa valeur critique de relaxation de contrainte. En outre, le produit contrainte-épaisseur cumulé de la région active 20, calculé pour la croissance sur la couche guide d'onde côté N 30 relaxée est inférieur à sa valeur critique de relaxation de contrainte. Il en résulte que l'interface côté N 70 entre la couche d'habillage de type N 50 et la couche guide d'onde côté N 30 comprend un ensemble de dislocations d'interface côté N 75, et que l'interface côté P 80 entre la couche d'habillage de type P 50 et la couche guide d'onde côté P 40 comprend un ensemble de dislocations d'interface côté P 85.