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1. (WO2011149965) REMPLISSAGE PAR DU CUIVRE D'INTRA-CONNEXIONS TRAVERSANTES DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/149965 N° de la demande internationale : PCT/US2011/037777
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 24.05.2011
CIB :
C25D 3/38 (2006.01) ,C25D 5/02 (2006.01) ,C25D 7/12 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Dépôts de métaux par voie électrolytique; Bains utilisés
02
à partir de solutions
38
de cuivre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
02
Dépôts sur des surfaces déterminées
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par l'objet à revêtir
12
Semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
RICHARDSON, Thomas, B. [US/US]; US (UsOnly)
SHAO, Wenbo [CN/US]; US (UsOnly)
LIN, Xuan [US/US]; US (UsOnly)
WANG, Cai [CN/US]; US (UsOnly)
PANECCASIO, Vincent, Jr. [US/US]; US (UsOnly)
ABYS, Joseph, A. [US/US]; US (UsOnly)
ZHANG, Yun [US/US]; US (UsOnly)
HURTUBISE, Richard [US/US]; US (UsOnly)
WANG, Chen [CN/US]; US (UsOnly)
ENTHONE INC. [US/US]; Frontage Road West Haven, Connecticut 06516, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
RICHARDSON, Thomas, B.; US
SHAO, Wenbo; US
LIN, Xuan; US
WANG, Cai; US
PANECCASIO, Vincent, Jr.; US
ABYS, Joseph, A.; US
ZHANG, Yun; US
HURTUBISE, Richard; US
WANG, Chen; US
Mandataire :
FLEISCHUT, Paul, I. J.; Senniger Powers LLP 100 North Broadway 17th Floor St. Louis, Missouri 63102, US
Données relatives à la priorité :
61/347,72124.05.2010US
Titre (EN) COPPER FILLING OF THROUGH SILICON VIAS
(FR) REMPLISSAGE PAR DU CUIVRE D'INTRA-CONNEXIONS TRAVERSANTES DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Abrégé :
(EN) A method for metallizing a through silicon via feature in a semiconductor integrated circuit device substrate. The method comprises immersing the semiconductor integrated circuit device substrate into an electrolytic copper deposition composition, wherein the through silicon via feature has an entry dimension between 1 micrometers and 100 micrometers, a depth dimension between 20 micrometers and 750 micrometers, and an aspect ratio greater than about 2:1; and supplying electrical current to the electrolytic deposition composition to deposit copper metal onto the bottom and sidewall for bottom-up filling to thereby yield a copper filled via feature. The deposition composition comprises (a) a source of copper ions; (b) an acid selected from among an inorganic acid, organic sulfonic acid, and mixtures thereof; (c) an organic disulfide compound; (d) a compound selected from the group consisting of a reaction product of benzyl chloride and hydroxyethyl polyethyleneimine, a quaternized dipyridyl compound, and a combination thereof; and (d) chloride ions.
(FR) La présente invention concerne un procédé de métallisation d'une intra-connexion traversante dans un substrat de silicium correspondant au substrat d'un dispositif à circuit intégré semi-conducteur. Ledit procédé comprend les étapes consistant à immerger le substrat d'un dispositif à circuit intégré semi-conducteur dans une composition de cuivrage électrolytique, ladite intra-connexion traversante du substrat de silicium présentant une dimension d'entrée comprise entre 1 et 100 micromètres, une profondeur comprise entre 20 et 750 micromètres et un rapport de forme supérieur à environ 2:1 ; puis à alimenter en courant électrique la composition de cuivrage électrolytique afin d'entraîner le dépôt de cuivre métallique sur le fond et les parois latérales de l'intra-connexion traversante en vue d'un remplissage de bas en haut de cette dernière donnant une intra-connexion traversante remplie de cuivre. Ladite composition de cuivrage comprend (a) une source d'ions cuivre ; (b) un acide choisi parmi un acide inorganique, un acide sulfonique organique et des mélanges de ceux-ci ; (c) un composé de disulfure organique ; (d) un composé choisi dans le groupe constitué d'un produit réactionnel du chlorure de benzyle et de l'hydroxyéthylpolyéthylèneimine, d'un composé dipyridylique quaternarisé et d'une combinaison de ceux-ci ; et (d) des ions chlorure.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)