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1. (WO2011149770) FILMS D'INGÉNIERIE RICHES EN BORE ET APPLICATIONS POUR MASQUE LITHOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/149770    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/037295
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 20.05.2011
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
NGUYEN, Victor [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Yi [CN/US]; (US) (US Seulement).
BALSEANU, Mihaela [RO/US]; (US) (US Seulement).
ROFLOX, Isabelita [PH/US]; (US) (US Seulement).
XIA, Li-Qun [US/US]; (US) (US Seulement).
WITTY, Derek, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NGUYEN, Victor; (US).
CHEN, Yi; (US).
BALSEANU, Mihaela; (US).
ROFLOX, Isabelita; (US).
XIA, Li-Qun; (US).
WITTY, Derek, R.; (US)
Mandataire : DERGOSITS, Michael, E.; Dergosits & Noah LLP Three Embarcadero Center, Suite 410 San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
12/786,245 24.05.2010 US
Titre (EN) ENGINEERING BORON-RICH FILMS LITHOGRAPHIC MASK APPLICATIONS
(FR) FILMS D'INGÉNIERIE RICHES EN BORE ET APPLICATIONS POUR MASQUE LITHOGRAPHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for processing a substrate with a boron rich film are provided. A patterned layer of boron rich material is deposited on a substrate and can be used as an etch stop. By varying the chemical composition, the selectivity and etch rate of the boron rich material can be optimized for different etch chemistries. The boron rich materials can be deposited over a layer stack substrate in multiple layers and etched in a pattern. The exposed layer stack can then be etched with multiple etch chemistries. Each of the boron rich layers can have a different chemical composition that is optimized for the multiple etch chemistries.
(FR)L'invention porte sur des procédés pour le traitement d'un substrat doté d'un film riche en bore. Une couche de matière riche en bore à motifs est déposée sur un substrat et peut être utilisée comme arrêt de gravure. En faisant varier la composition chimique, on peut optimiser la sélectivité et la vitesse de gravure de la matière riche en bore pour différentes chimies de gravure. Les matières riches en bore peuvent être déposées sur un substrat à empilement de couches en de multiples couches et gravées en un motif. L'empilement de couches exposé peut ensuite être gravé par de multiples chimies de gravure. Chacune des couches riches en bore peut avoir une composition chimique différente qui est optimisée pour les multiples chimies de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)