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1. (WO2011149678) SYSTÈME DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DISCONTINU LINÉAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/149678    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/036167
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 12.05.2011
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : AVENTA TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 44 Garden Street, Unit 5 Danvers, Massachusetts 01923 (US) (Tous Sauf US).
SFERLAZZO, Piero [IT/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SFERLAZZO, Piero; (US)
Mandataire : GUERIN, William, G.; Guerin & Rodriguez, LLP 5 Mount Royal Avenue Mount Royal Office Park Marlborough, MA 01752 (US)
Données relatives à la priorité :
12/787,082 25.05.2010 US
Titre (EN) LINEAR BATCH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DISCONTINU LINÉAIRE
Abrégé : front page image
(EN)Described is a linear batch CVD system that includes a deposition chamber, one or more substrate carriers, gas injectors and a heating system. Each substrate carrier is disposed in the deposition chamber and has at least one receptacle configured to receive a substrate. The substrate carriers are configured to hold substrates in a linear configuration. Each gas injector includes a port configured to supply a gas in a uniform distribution across one or more of the substrates. The heating system includes at least one heating element and a heating control module for uniformly controlling a temperature of the substrates. The system is suitable for high volume CVD processing of substrates. The narrow width of the deposition chamber enables a uniform distribution of precursor gases across the substrates along the length of the reaction chamber and permits a greater number of substrates to be processed in comparison to conventional deposition chambers.
(FR)L'invention porte sur un système de CVD discontinu linéaire qui comprend une chambre de dépôt, un ou plusieurs supports de substrat, des injecteurs de gaz et un système de chauffage. Chaque support de substrat est disposé dans la chambre de dépôt et comprend au moins un contenant conçu pour recevoir un substrat. Les supports de substrat sont conçus pour porter des substrats en une configuration linéaire. Chaque injecteur de gaz comprend un orifice conçu pour apporter un gaz selon une distribution uniforme vers l'ensemble d'un ou plusieurs des substrats. Le système de chauffage comprend au moins un élément chauffant et un module de régulation de chauffage servant à réguler uniformément une température des substrats. Le système est approprié pour le traitement par CVD de substrats en un volume élevé. La largeur étroite de la chambre de dépôt permet une distribution uniforme de gaz précurseurs sur l'ensemble des substrats le long de la longueur de la chambre de réaction et permet de traiter un plus grand nombre de substrats par comparaison avec des chambres de dépôt classiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)