Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2011149638) GRAVURE SÉLECTIVE POUR DES FILMS DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2011/149638    International Application No.:    PCT/US2011/035598
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Sat May 07 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01L 21/3065
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
ZHANG, Jingchun
WANG, Anchuan
INGLE, Nitin, K.
Inventors: ZHANG, Jingchun
WANG, Anchuan
INGLE, Nitin, K.
Title: GRAVURE SÉLECTIVE POUR DES FILMS DE SILICIUM
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de gravure de structures contenant du silicium hétérogènes modelées qui comprend une gravure par plasma distant avec une sélectivité inversée par rapport à des gravures par plasma distant existantes. Les procédés peuvent être utilisés pour attaquer du polysilicium de façon conforme tout en éliminant peu ou pas d'oxyde de silicium. Plus généralement, des films contenant du silicium contenant moins d'oxygène sont éliminés plus rapidement que des films contenant du silicium qui contiennent plus d'oxygène. D'autres applications exemplaires comprennent l'attaque de films de nitrure de silicium-carbone tout en retenant essentiellement l'oxycarbure de silicium. Des applications telles que celles-ci sont permises par les procédés présentement décrits et permettent de nouveaux flux de traitement. Il est attendu que ces flux de traitement deviennent souhaitables pour différentes structures à définition de trait plus fine. Les procédés présentement décrits peuvent également être utilisés pour attaquer des films contenant du silicium plus rapidement que des films contenant de l'azote et du silicium ayant une concentration d'azote plus élevée.