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1. (WO2011149426) AMPLIFICATEUR ET ÉMETTEUR-RÉCEPTEUR COMPRENANT L'AMPLIFICATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/149426    N° de la demande internationale :    PCT/SG2011/000192
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 25.05.2011
CIB :
H03F 1/26 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10 Connexis Singapore 138632 (SG) (Tous Sauf US).
CHA, Hyouk Kyu [KR/SG]; (SG) (US Seulement).
GAO, Yuan [CN/SG]; (SG) (US Seulement).
YUAN, Xiaojun [US/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : CHA, Hyouk Kyu; (SG).
GAO, Yuan; (SG).
YUAN, Xiaojun; (SG)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER LLP; P.O. Box 1088 Rochor Post Office Rochor Road Singapore 911833 (SG)
Données relatives à la priorité :
201003634-1 25.05.2010 SG
Titre (EN) AMPLIFIER AND TRANSCEIVER INCLUDING THE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR ET ÉMETTEUR-RÉCEPTEUR COMPRENANT L'AMPLIFICATEUR
Abrégé : front page image
(EN)An amplifier and a transceiver including the amplifier are provided. The amplifier includes an input terminal; a first transistor of a first conductivity and a second transistor of a second conductivity, each transistor comprising a source terminal, a gate terminal and a drain terminal respectively, the source terminal of the first transistor being coupled to the source terminal of the second transistor, and the gate terminal of the first transistor and the gate terminal of the second transistor being coupled to the input terminal; and an output terminal coupled to the drain terminal of the first transistor and the drain terminal of the second transistor.
(FR)L'invention concerne un amplificateur et un émetteur-récepteur comprenant cet amplificateur. L'amplificateur comprend : une borne d'entrée; un premier transistor d'un premier type de conductivité et un second transistor d'un second type de conductivité, chaque transistor comprenant respectivement une borne de source, une borne de grille et une borne de drain, la borne de source du premier transistor étant couplée à la borne de source du second transistor et la borne de grille du premier transistor et la borne de grille du second température étant couplées à la borne d'entrée; et une borne de sortie couplée à la borne de drain du premier transistor et à la borne de drain du second transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)