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1. (WO2011149289) PROCÉDÉ POUR PLAQUER UNE SURFACE DE CIRCUIT D'UNE CARTE DE CIRCUITS IMPRIMÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/149289 N° de la demande internationale : PCT/KR2011/003874
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 26.05.2011
CIB :
C23C 18/31 (2006.01) ,C23C 18/16 (2006.01) ,C23C 18/06 (2006.01) ,C23C 18/42 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18
Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
16
par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
31
Revêtement avec des métaux
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18
Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
16
par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18
Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
02
par décomposition thermique
06
Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18
Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
16
par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
31
Revêtement avec des métaux
42
Revêtement avec des métaux nobles
Déposants :
이남철 LEE, Nam Cheol [KR/KR]; KR (UsOnly)
주식회사 써피스텍 CIRFICETECH CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 안산시 단원구 목내동 447-5 Mognae-dong 447-5, Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-100, KR (AllExceptUS)
Inventeurs :
이남철 LEE, Nam Cheol; KR
Mandataire :
문두현 MOON, Doo Hyun; 서울특별시 강남구 삼성동 71-15번지 우창빌딩 Woochang Bldg. 71-15, Samgung-dong Kangnam-gu Seoul 135-090, KR
Données relatives à la priorité :
10-2010-004978627.05.2010KR
Titre (EN) METHOD FOR PLATING A CIRCUIT SURFACE OF A PRINTED CIRCUIT BOARD
(FR) PROCÉDÉ POUR PLAQUER UNE SURFACE DE CIRCUIT D'UNE CARTE DE CIRCUITS IMPRIMÉS
(KO) 인쇄회로기판의 회로표면 도금방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for plating a surface of a copper (110) circuit formed on a surface of a printed circuit board (100), wherein the method comprises: a first step of performing a primary displacement-plating process on the surface of the copper (110) circuit formed on the surface of the printed circuit board (100), using silver (120) or a silver alloy serving as a diffusion barrier layer; and a second step of performing a secondary displacement-plating process on the silver (120) or the silver alloy primarily displacement-plated on the surface of the copper (110) circuit, using tin (130) or a tin alloy serving as a protective layer for protecting the silver (120) or the silver alloy, to thereby form a double layer. According to the present invention, the generation of intermetallic compounds, the generation of whisker and short circuits resulting therefrom, surface oxidation, silver-ion migration, etc. can be prevented.
(FR) La présente invention porte sur un procédé pour plaquer une surface d'un circuit en cuivre (110) formé sur une surface d'une carte de circuits imprimés (100), lequel procédé comprend : une première étape consistant à effectuer un processus de placage et de déplacement primaire sur la surface du circuit en cuivre (110) formé sur la surface de la carte de circuits imprimés (100), à l'aide d'argent (120) ou d'un alliage d'argent jouant le rôle de couche de barrière de diffusion ; et une seconde étape consistant à effectuer un processus de placage et de déplacement secondaire sur l'argent (120) ou l'alliage d'argent premièrement plaqué par déplacement sur la surface du circuit en cuivre (110), à l'aide d'étain (130) ou d'un alliage d'étain jouant le rôle de couche protectrice pour protéger l'argent (120) ou l'alliage d'argent, de façon à former ainsi une double couche. Selon la présente invention, la génération de composés intermétalliques, la génération de barbes et de courts-circuits résultant de ceux-ci, l'oxydation de surface, la migration d'ions d'argent, etc., peuvent être empêchées.
(KO) 본 발명은, 인쇄회로기판(100)의 표면에 형성된 구리(110) 회로의 표면에 도금하는 방법으로서, 상기 인쇄회로기판(100)의 표면에 형성된 구리(110) 회로의 표면에 확산방지층으로서 은(120) 또는 은 합금을 1차 치환도금하는 제1 단계; 및 상기 치환도금된 은(120) 또는 은 합금 위에 상기 은(120) 또는 은 합금의 보호층으로서 주석(130) 또는 주석 합금을 2차 치환도금하여 이중층을 형성하는 제2 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 금속간화합물 생성, 휘스커 발생과 그로 인한 회로 단락, 표면 산화, 은 이온이동현상 등을 방지할 수 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)