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1. WO2011149148 - STRUCTURE CRISTALLINE HEXAGONALE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2011/149148
Date de publication 01.12.2011
N° de la demande internationale PCT/KR2010/005064
Date du dépôt international 02.08.2010
CIB
C01G 9/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
9Composés du zinc
02Oxydes; Hydroxydes
C01G 9/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
9Composés du zinc
C01G 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
11Composés du cadmium
H01L 33/28 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
28contenant uniquement des éléments du groupe II et du groupe VI de la classification périodique
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01B 19/007
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
19Selenium; Tellurium; Compounds thereof
007Tellurides or selenides of metals
C01G 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
11Compounds of cadmium
C01G 9/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
9Compounds of zinc
02Oxides; Hydroxides
C01P 2002/76
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
76by a space-group or by other symmetry indications
C01P 2004/03
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
01depicted by an image
03obtained by SEM
Déposants
  • GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • KIM, Ki-Seok [KR]/[KR] (UsOnly)
  • JUNG, Gun-Young [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • KIM, Ki-Seok
  • JUNG, Gun-Young
Mandataires
  • E-SANG PATENT & TRADEMARK LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2010-005534911.06.2010KR
10-2010-005535611.06.2010KR
10-2010-005536511.06.2010KR
10-2010-005537411.06.2010KR
10-2010-006739913.07.2010KR
10-2010-006740813.07.2010KR
61/349,55928.05.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HEXAGONAL CRYSTAL STRUCTURE AND LIGHT-EMITTING DIODE USING THE SAME
(FR) STRUCTURE CRISTALLINE HEXAGONALE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE L'UTILISANT
Abrégé
(EN)
The present invention provides hexagonal zinc oxide structures having various shapes. The zinc oxide may be formed into a crystalline rod, a tree structure, and a hemispherical structure. These zinc oxide structures can be applied to a light-emitting diode. The light-emitting diode has excellent light extraction efficiency due to the zinc oxide structure applied thereto.
(FR)
La présente invention porte sur des structures d'oxyde de zinc hexagonales ayant diverses formes. L'oxyde de zinc peut être mis sous forme d'un bâtonnet cristallin, d'une structure en arbre et d'une structure hémisphérique. Ces structures d'oxyde de zinc peuvent être appliquées à une diode électroluminescente. La diode électroluminescente a un excellent rendement d'extraction de lumière en raison de la structure d'oxyde de zinc appliquée à celle-ci.
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