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1. (WO2011149021) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE ET ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE

Pub. No.:    WO/2011/149021    International Application No.:    PCT/JP2011/062108
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Fri May 27 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01L 31/04
Applicants: EVATECH Co., Ltd.
株式会社エバテック
WATANABE, Akira
渡邉 亮
INO, Tadahiro
井野 匡裕
NISHIMURA, Narichika
西村 成史
Inventors: WATANABE, Akira
渡邉 亮
INO, Tadahiro
井野 匡裕
NISHIMURA, Narichika
西村 成史
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE ET ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément photovoltaïque, les opérations gênantes des étapes de fabrication étant réduites et l'élément photovoltaïque pouvant être traité, même à basse température. Un élément photovoltaïque est également décrit. Selon l'invention, des films semi-conducteurs amorphes intrinsèques (2, 6) sont formés sur une surface d'un substrat de silicium monocristallin de type n (1), une section conductrice de type n (film semi-conducteur amorphe de type n) (7) est formée sur la surface du film semi-conducteur amorphe intrinsèque (6) à l'aide d'un premier masque, une section conductrice de type p (film semi-conducteur amorphe de type p) (3) est formée sur la surface du film semi-conducteur amorphe intrinsèque à l'aide d'un second masque, un film isolant (4) est formé de telle sorte qu'au moins une surface du substrat de silicium monocristallin de type n (1) sur laquelle sont formés les films semi-conducteurs amorphes (2, 6) soit couverte, une pluralité de trous conducteurs (13) communiquant avec les films semi-conducteurs amorphes (2, 6) est formée dans le film isolant (4) et des électrodes (5, 8) sont formées dans une région sur le film isolant (4) qui comprend les trous conducteurs (13), pour ainsi obtenir l'élément photovoltaïque.