WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011148788) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE RECUIT AU LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/148788    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/060875
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 11.05.2011
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Déposants : V Technology Co., Ltd. [JP/JP]; 134 Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005 (JP) (Tous Sauf US).
KAJIYAMA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUMURA, Michinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAMANO, Kuniyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAJIYAMA, Koichi; (JP).
MIZUMURA, Michinobu; (JP).
HAMANO, Kuniyuki; (JP)
Mandataire : FUJIMAKI, Masanori; HOYU PATENT OFFICE, 19th Floor, Yokohama Creation Square, 5-1 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-121945 27.05.2010 JP
Titre (EN) LASER ANNEALING METHOD AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE RECUIT AU LASER
(JA) レーザアニール方法及び装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a laser annealing method and device capable of applying sufficient energy to an amorphous silicon film and efficiently causing a phase change therein when laser annealing the amorphous silicon layer and forming a low temperature polysilicon film, even when using an inexpensive laser light source device such as a YAG laser. A fundamental wave from a YAG light source (11) is converted with wavelength converters (12, 13) into a second harmonic and a third harmonic, and the third harmonic laser light is beamed upon a body to be beamed (18), while the fundamental wave is beamed upon the body to be beamed (18) at delays of approximately 10ns and 20ns, via an approximately 3m third optical assembly (21) and an approximately 6m fourth optical assembly (22). The fused part of the amorphous silicon film that is fused with the third harmonic is thus beamed by the fundamental wave being segmented into a P wave and an S wave, and the YAG fundamental wave, which is not absorbed by the amorphous silicon film, is absorbed by the fused silicon, and is efficaciously used in the heating thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif de recuit au laser capables d'appliquer une énergie suffisante à un film de silicium amorphe et de commander efficacement un changement de phase lors du recuit au laser du film de silicium amorphe et de la formation d'un film de polysilicium à basse température, même si l'on utilise comme source de lumière laser un dispositif peu onéreux tel qu'un laser YAG. Une onde fondamentale provenant d'une source de lumière YAG (11) est convertie par des convertisseurs de longueur d'onde (12, 13) en une deuxième harmonique et une troisième harmonique et la lumière laser à la troisième harmonique est envoyée sur un corps à balayer (18), pendant que l'onde fondamentale est envoyée sur le corps à balayer (18) avec des retards d'environ 10 ns et 20 ns, via un troisième ensemble optique (21) d'environ 3m et un quatrième ensemble optique (22) d'environ 6m. La partie en fusion du film de silicium amorphe, qui est fondue par la troisième harmonique, est donc balayée par l'onde fondamentale qui est subdivisée en une onde P et une onde S. L'onde fondamentale YAG, qui n'est pas absorbée par le film de silicium amorphe, est absorbée par le silicium fondu et est utilisée efficacement pour le chauffage.
(JA)アモルファスシリコン膜をレーザアニールして、低温ポリシリコン膜を形成する際に、YAGレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用しても、アモルファスシリコン膜に対して、十分なエネルギを与えて効率的に相転移させることができるレーザアニール方法及び装置を提供する。 YAGレーザ光源11からの基本波を、波長変換器12,13で第2高調波及び第3高調波に変換し、第3高調波のレーザ光を被照射体18に照射すると共に、基本波は、約3mの第3の光学系21及び約6mの第4の光学系22を経由させ、約10ns及び約20ns遅延させて、被照射体18に照射する。これにより、第3高調波で溶融したアモルファスシリコン膜の溶融部は基本波がP波とS波とに分割されて照射されるので、アモルファスシリコン膜には吸収されないYAG基本波が溶融Siに吸収されてその加熱に有効に使用される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)