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1. (WO2011148679) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/148679 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/053357
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 17.02.2011
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : NISHIMURA, Kazuhito; null (UsOnly)
NASUNO, Yoshiyuki; null (UsOnly)
NAKANO, Takanori; null (UsOnly)
SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NISHIMURA, Kazuhito; null
NASUNO, Yoshiyuki; null
NAKANO, Takanori; null
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2010-12154427.05.2010JP
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光電変換装置
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed is a photovoltaic device provided with a substrate (1), and pin photovoltaic layers (11, 12) disposed on the surface of the substrate (1). The pin photovoltaic layers (11, 12) contain a first pin photovoltaic layer (11) in which a p-type semiconductor layer (3), an i-type semiconductor layer (4), which is an amorphous semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer(5) are stacked. The first pin photovoltaic layer (11) comprises a first portion positioned on the surface of part of the substrate (1), and a second portion positioned on the surface of the other part of the substrate (1). The concentration of at least one impurity element selected from oxygen, nitrogen and carbon in the first portion is higher than the concentration of an impurity element in the second portion, and the first portion is thinner than the second portion.
(FR) L'invention concerne un dispositif photovoltaïque qui comporte un substrat (1) et des couches photovoltaïques pin (11, 12) disposées sur la surface du substrat (1). Les couches photovoltaïques pin (11, 12) contiennent une première couche photovoltaïque pin (11) dans laquelle sont empilées une couche de semi-conducteur de type p (3), une couche de semi-conducteur de type i (4) qui est une couche de semi-conducteur amorphe, et une couche de semi-conducteur de type n (5). La première couche photovoltaïque pin (11) comprend une première partie positionnée sur la surface d'une partie du substrat (1), et une deuxième partie positionnée sur la surface de l'autre partie du substrat (1). La concentration d'au moins une impureté choisie parmi l'oxygène, l'azote et le carbone dans la première partie est supérieure à la concentration de cette impureté dans la deuxième partie, et la première partie est plus mince que la deuxième partie.
(JA)  基板(1)と、基板(1)の表面上に設けられたpin型光電変換層(11,12)と、を備え、pin型光電変換層(11,12)は、p型半導体層(3)と、非晶質半導体層であるi型半導体層(4)と、n型半導体層(5)とが積層された第1のpin型光電変換層(11)を含んでおり、第1のpin型光電変換層(11)は、基板(1)の一部の表面上に位置する第1の部分と、基板(1)の他の一部の表面上に位置する第2の部分と、を有し、第1の部分の酸素、窒素および炭素から選択される少なくとも一つの不純物元素の濃度が、第2の部分の不純物元素の濃度よりも高く、第1の部分の厚さが第2の部分の厚さよりも薄くなっている、光電変換装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)