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1. (WO2011148443) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/148443 N° de la demande internationale : PCT/JP2010/006935
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 29.11.2010
CIB :
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : NAKAZAWA, Satoshi; null (UsOnly)
UEDA, Tetsuzo; null (UsOnly)
ANDA, Yoshiharu; null (UsOnly)
TSURUMI, Naohiro; null (UsOnly)
KAJITANI, Ryo; null (UsOnly)
PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NAKAZAWA, Satoshi; null
UEDA, Tetsuzo; null
ANDA, Yoshiharu; null
TSURUMI, Naohiro; null
KAJITANI, Ryo; null
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
Données relatives à la priorité :
2010-11902725.05.2010JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed is a field effect transistor which comprises a nitride semiconductor laminate (102) that is formed on top of a substrate (101), a source electrode (105), a drain electrode (106), a gate electrode (107), an insulating film (110) that is formed on top of the nitride semiconductor laminate (102), and a field plate (115) that is formed on top of and in contact with the insulating film (110) with an end portion being located between the gate electrode (107) and the drain electrode (106). The insulating film (110) comprises a first film (111) and a second film (112) that has a lower withstand voltage than the first film (111), and has a thin film portion (110a) that is formed between the gate electrode (107) and the drain electrode (106). The field plate (115) covers the thin film portion (110a) and is connected to the source electrode in an opening portion.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ comportant un stratifié (102) de semiconducteur de type nitrure formé par-dessus un substrat (101), une électrode (105) de source, une électrode (106) de drain, une électrode (107) de grille, un film isolant (110) formé par-dessus le stratifié (102) de semiconducteur de type nitrure, et une plaque (115) de champ formée par-dessus et en contact avec le film isolant (110), et dont une partie d'extrémité est située entre l'électrode (107) de grille et l'électrode (106) de drain. Le film isolant (110) comporte un premier film (111) et un deuxième film (112) caractérisé par une tension de tenue inférieure à celle du premier film (111), et comprend une partie (110a) de film mince formée entre l'électrode (107) de grille et l'électrode (106) de drain. La plaque (115) de champ recouvre la partie (110a) de film mince et est reliée à l'électrode de source au sein d'une partie d'ouverture.
(JA)  電界効果トランジスタは、基板101の上に形成された窒化物半導体積層体102と、ソース電極105、ドレイン電極106及びゲート電極107と、窒化物半導体積層体102の上に形成された絶縁膜110と、絶縁膜110の上に接して形成され、端部がゲート電極107とドレイン電極106との間に位置するフィールドプレート115とを備えている。絶縁膜110は、第1の膜111と、第1の膜111よりも絶縁耐圧が低い第2の膜112とを含み、ゲート電極117とドレイン電極116との間に形成された薄膜部110aを有している。フィールドプレート115は、薄膜部110aを覆い且つ開口部においてソース電極と接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)