WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011148346) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE MODULES À COUCHE MINCE AVEC INTERCONNEXIONS PAR POINTS ET TROUS DE LIAISON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/148346    N° de la demande internationale :    PCT/IB2011/052321
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 27.05.2011
CIB :
H01L 27/142 (2006.01), H01L 31/05 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : FLISOM AG [CH/CH]; Ueberlandstrasse 129 CH-8600 Dübendorf (CH) (Tous Sauf US).
ZILTENER, Roger [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
KERN, Roland [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
BREMAUD, David [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
KELLER, Björn [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : ZILTENER, Roger; (CH).
KERN, Roland; (CH).
BREMAUD, David; (CH).
KELLER, Björn; (CH)
Mandataire : CRONIN, Brian; Cronin Intellectual Property Chemin de Précossy 31 CH-1260 Nyon (CH)
Données relatives à la priorité :
PCT/IB2010/052393 28.05.2010 IB
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR THIN FILM MODULE WITH DOTTED INTERCONNECTS AND VIAS
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE MODULES À COUCHE MINCE AVEC INTERCONNEXIONS PAR POINTS ET TROUS DE LIAISON
Abrégé : front page image
(EN)A method to fabricate monolithically-integrated optoelectronic module apparatuses (100) comprising at least two series-interconnected optoelectronic components (104, 106, 108). The method includes deposition and scribing on an insulating substrate or superstrate (1 10) of a 3-layer stack in order (a, b, c) or (c, b, a) comprising: (a) back-contact electrodes (122, 124, 126, 128), (b) semiconductive layer (130), and (c) front-contact components (152, 154, 156, 158). Via holes (153, 155, 157) are drilled so that heat of the drilling process causes a metallization at the surface of said via holes that renders conductive the semiconductive layer's surface (132, 134, 136, 138) of said via holes, thereby establishing series-interconnecting electrical paths between optoelectronic components (104, 106, 108) by connecting first front-contact components (154, 156) to second back-contact electrodes (124, 126).
(FR)Procédé de fabrication d'appareils à module optoélectronique intégrés de façon monolithique (100) comprenant au moins deux composants optoélectroniques interconnectés en série (104, 106, 108). Le procédé consiste à effectuer un dépôt et à graver sur un substrat ou un superstrat isolant (1 10) d'un empilement de trois couches (a. b, c) ou (c, b, a) comprenant : (a) des électrodes à contact arrière (122, 124, 126, 128), (b) une couche semi-conductrice (130) et (c) des composants à contact avant (152, 154, 156, 158). Des trous de liaison (153, 155, 157) sont percés pour que la chaleur dégagée par l'opération de perçage provoque une métallisation de la surface desdits trous de liaison et rendent conductrice la surface de la couche semi-conductrice (132, 134, 136, 138) des trous de liaison, ce qui permet d'établir des chemins électriques interconnectés en série entre les composants optoélectroniques (104, 106, 108) par connexion des premiers composants à contact avant (154, 156) et des secondes électrodes à contact arrière (124, 126).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)