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1. (WO2011148279) FILTRE POUR DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/148279    N° de la demande internationale :    PCT/IB2011/051835
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 27.04.2011
CIB :
H01L 33/44 (2010.01), G02B 5/20 (2006.01), G02B 5/28 (2006.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US).
CHAMBERLIN, Danielle, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHAMBERLIN, Danielle, R.; (US)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J.J.; High Tech Campus Building 44 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
12/788,762 27.05.2010 US
Titre (EN) FILTER FOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) FILTRE POUR DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention include a semiconductor light emitting device capable of emitting first light having a first peak wavelength and a wavelength converting element capable of absorbing the first light and emitting second light having a second peak wavelength. In some embodiments, the structure further includes a metal nanoparticle array (32) configured to pass a majority of light in a first wavelength range and reflect or absorb a majority of light in a second wavelength range. In some embodiments, the structure further includes a filter (42, 16) configured to pass a majority of light in a first wavelength range and reflect or absorb a majority of light in a second wavelength range, wherein the filter is configured such that a wavelength at which a minimum amount of light is passed by the filter shifts no more than 30 nm for light incident on the filter at angles between 0° and 60° relative to a normal to a major surface of the filter.
(FR)La présente invention concerne des modes de réalisation d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur capable d'émettre une première lumière présentant une première longueur d'onde en crête et un élément de conversion de longueur d'onde capable d'absorber la première lumière et d'émettre une seconde lumière présentant une seconde longueur d'onde en crête. Dans certains modes de réalisation, la structure comprend en outre un ensemble de nanoparticules métalliques configurées pour faire passer une majeure partie de lumière dans une première plage de longueur d'onde et réfléchir ou absorber une majeure partie de lumière dans une seconde plage de longueur d'onde. Dans certains modes de réalisation, la structure comprend en outre un filtre configuré pour faire passer une majeure partie de lumière dans une première plage de longueur d'onde et réfléchir ou absorber une majeure partie de lumière dans une seconde plage de longueur d'onde, le filtre étant configuré de telle sorte qu'une longueur d'onde à laquelle une quantité minimale de lumière est amenée à passer par le filtre ne se décale pas plus de 30 nm pour une lumière incidente sur le filtre à des angles compris entre 0° et 60° par rapport à une normale à une surface principale du filtre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)