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1. (WO2011147644) DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT ET PROCÉDÉ D'APPLICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT SUR UN CORPS DE REFROIDISSEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/147644    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/056174
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 18.04.2011
CIB :
F21V 19/00 (2006.01), F21V 29/00 (2006.01), F21Y 101/02 (2006.01), F21K 99/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM AG [DE/DE]; Hellabrunner Straße 1 81543 München (DE) (Tous Sauf US).
SACHSENWEGER, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PREUSCHL, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FROST, Tobias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BREIDENASSEL, Nicole [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HÖTZL, Günter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SACHSENWEGER, Peter; (DE).
PREUSCHL, Thomas; (DE).
FROST, Tobias; (DE).
BREIDENASSEL, Nicole; (DE).
HÖTZL, Günter; (DE)
Représentant
commun :
OSRAM AG; Intellectual Property IP Postfach 22 13 17 80503 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2010 029 270.2 25.05.2010 DE
Titre (DE) HALBLEITERLEUCHTVORRICHTUNG, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS UND VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINES TRÄGERSUBSTRATS AUF EINEN KÜHLKÖRPER
(EN) SEMICONDUCTOR LUMINOUS DEVICE, METHOD FOR PRODUCING A CARRIER SUBSTRATE AND METHOD FOR APPLYING A CARRIER SUBSTRATE TO A HEAT SINK
(FR) DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT ET PROCÉDÉ D'APPLICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT SUR UN CORPS DE REFROIDISSEMENT
Abrégé : front page image
(DE)Die Halbleiterleuchtvorrichtung (1) weist einen Kühlkörper (2) mit mindestens zwei zueinander angewinkelten äußeren Auflageflächen (5, 6) und ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (16) und mit mindestens einem elektronischen Bauteil (17) einseitig bestücktes Trägersubstrat (11) auf, wobei das Trägersubstrat (11) mindestens zwei bestückte Trägerbereiche (12, 14) aufweist, welche gegeneinander entlang definierter Biegelinien (18, 19) anwinkelbar sind und welche an jeweiligen der Auflageflächen (5, 6) befestigt sind. Das Verfahren dient zum Herstellen eines Trägersubstrats (11), welches einseitig mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (16) und mit mindestens einem elektronischen Bauteil (17) bestückt ist, und weist mindestens die folgenden Schritte auf: Herstellen eines bandförmigen Endlos-Trägersubstrats; Bestücken des Endlos-Trägersubstrats; und verschnittfreies Heraustrennen des Trägersubstrats (11) aus dem Endlos-Trägersubstrat.
(EN)The semiconductor luminous device (1) has a heat sink (2) having at least two outer contact surfaces (5, 6) angled with respect to each other and a carrier substrate (11) populated on one side with at least one semiconductor light source (16) and with at least one electronic component (17), wherein the carrier substrate (11) has at least two populated carrier regions (12, 14) which can be angled towards each other along defined bending lines (18, 19) and which are fixed to respective contact surfaces (5, 6). The method is used to produce a carrier substrate (11) which is populated on one side with at least one semiconductor light source (16) and with at least one electronic component (17), and comprises at least the following steps: production of a strip-like endless carrier substrate; population of the endless carrier substrate; and no-waste separation of the carrier substrate (11) out of the endless carrier substrate.
(FR)Le dispositif semi-conducteur (1) présente un corps de refroidissement (2) doté d'au moins deux faces d'appui (5, 6) extérieures pliées l'une par rapport à l'autre et un substrat support (11) équipé d'un côté d'au moins une source de lumière semi-conductrice (16) et d'au moins un module électronique (17), le substrat support (11) présentant au moins deux zones support (12, 14) équipées, qui peuvent être pliées l'une par rapport à l'autre le long de lignes de pliage définies (18, 19) et qui sont fixées respectivement sur les faces d'appui (5, 6). Le procédé est destiné à la fabrication d'un substrat support (11), qui est muni d'un côté d'au moins une source de lumière semi-conductrice (16) et d'au moins un module électronique (17), et présente au moins les étapes suivantes : fabrication d'un substrat support sans fin en forme de bande; équipement du substrat support sans fin; et séparation sans déchets du substrat support (11) du substrat support sans fin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)