WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
1. (WO2011147644) DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT ET PROCÉDÉ D'APPLICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT SUR UN CORPS DE REFROIDISSEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/147644 N° de la demande internationale : PCT/EP2011/056174
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 18.04.2011
CIB :
F21V 19/00 (2006.01) ,F21V 29/00 (2006.01) ,F21Y 101/02 (2006.01) ,F21K 99/00 (2010.01)
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21
ÉCLAIRAGE
V
CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS
19
Montage des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses sur ou dans les dispositifs d'éclairage
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21
ÉCLAIRAGE
V
CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS
29
Dispositions de refroidissement ou de chauffage
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21
ÉCLAIRAGE
Y
SCHÉMA D'INDEXATION ASSOCIÉ AUX SOUS-CLASSES F21L, F21S ET F21V105
101
Sources lumineuses ponctuelles
02
Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21
ÉCLAIRAGE
K
SOURCES D'ÉCLAIRAGE NON PRÉVUES AILLEURS
99
Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
Déposants : SACHSENWEGER, Peter[DE/DE]; DE (UsOnly)
PREUSCHL, Thomas[DE/DE]; DE (UsOnly)
FROST, Tobias[DE/DE]; DE (UsOnly)
BREIDENASSEL, Nicole[DE/DE]; DE (UsOnly)
HÖTZL, Günter[DE/DE]; DE (UsOnly)
OSRAM AG[DE/DE]; Hellabrunner Straße 1 81543 München, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : SACHSENWEGER, Peter; DE
PREUSCHL, Thomas; DE
FROST, Tobias; DE
BREIDENASSEL, Nicole; DE
HÖTZL, Günter; DE
Représentant
commun :
OSRAM AG; Intellectual Property IP Postfach 22 13 17 80503 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2010 029 270.225.05.2010DE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LUMINOUS DEVICE, METHOD FOR PRODUCING A CARRIER SUBSTRATE AND METHOD FOR APPLYING A CARRIER SUBSTRATE TO A HEAT SINK
(FR) DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT ET PROCÉDÉ D'APPLICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT SUR UN CORPS DE REFROIDISSEMENT
(DE) HALBLEITERLEUCHTVORRICHTUNG, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS UND VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINES TRÄGERSUBSTRATS AUF EINEN KÜHLKÖRPER
Abrégé :
(EN) The semiconductor luminous device (1) has a heat sink (2) having at least two outer contact surfaces (5, 6) angled with respect to each other and a carrier substrate (11) populated on one side with at least one semiconductor light source (16) and with at least one electronic component (17), wherein the carrier substrate (11) has at least two populated carrier regions (12, 14) which can be angled towards each other along defined bending lines (18, 19) and which are fixed to respective contact surfaces (5, 6). The method is used to produce a carrier substrate (11) which is populated on one side with at least one semiconductor light source (16) and with at least one electronic component (17), and comprises at least the following steps: production of a strip-like endless carrier substrate; population of the endless carrier substrate; and no-waste separation of the carrier substrate (11) out of the endless carrier substrate.
(FR) Le dispositif semi-conducteur (1) présente un corps de refroidissement (2) doté d'au moins deux faces d'appui (5, 6) extérieures pliées l'une par rapport à l'autre et un substrat support (11) équipé d'un côté d'au moins une source de lumière semi-conductrice (16) et d'au moins un module électronique (17), le substrat support (11) présentant au moins deux zones support (12, 14) équipées, qui peuvent être pliées l'une par rapport à l'autre le long de lignes de pliage définies (18, 19) et qui sont fixées respectivement sur les faces d'appui (5, 6). Le procédé est destiné à la fabrication d'un substrat support (11), qui est muni d'un côté d'au moins une source de lumière semi-conductrice (16) et d'au moins un module électronique (17), et présente au moins les étapes suivantes : fabrication d'un substrat support sans fin en forme de bande; équipement du substrat support sans fin; et séparation sans déchets du substrat support (11) du substrat support sans fin.
(DE) Die Halbleiterleuchtvorrichtung (1) weist einen Kühlkörper (2) mit mindestens zwei zueinander angewinkelten äußeren Auflageflächen (5, 6) und ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (16) und mit mindestens einem elektronischen Bauteil (17) einseitig bestücktes Trägersubstrat (11) auf, wobei das Trägersubstrat (11) mindestens zwei bestückte Trägerbereiche (12, 14) aufweist, welche gegeneinander entlang definierter Biegelinien (18, 19) anwinkelbar sind und welche an jeweiligen der Auflageflächen (5, 6) befestigt sind. Das Verfahren dient zum Herstellen eines Trägersubstrats (11), welches einseitig mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (16) und mit mindestens einem elektronischen Bauteil (17) bestückt ist, und weist mindestens die folgenden Schritte auf: Herstellen eines bandförmigen Endlos-Trägersubstrats; Bestücken des Endlos-Trägersubstrats; und verschnittfreies Heraustrennen des Trägersubstrats (11) aus dem Endlos-Trägersubstrat.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)