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1. (WO2011147399) COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE ET D'UN COMPOSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/147399    N° de la demande internationale :    PCT/DE2011/001037
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 04.05.2011
CIB :
H01L 33/60 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
JÄGER, Harald [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZITZLSPERGER, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHNEIDER, Albert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : JÄGER, Harald; (DE).
ZITZLSPERGER, Michael; (DE).
SCHNEIDER, Albert; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2010 021 791.3 27.05.2010 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND EINES VERBUNDS
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND A COMPOUND STRUCTURE
(FR) COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE ET D'UN COMPOSITE
Abrégé : front page image
(DE)Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, das ein Gehäuse (1), mindestens einen in dem Gehäuse (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise, wobei in der Vergussmasse (3) reflektierende Partikel (3a) eingebettet sind. Weiter sind ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements sowie eines Verbunds angegeben.
(EN)The invention relates to an optoelectronic component (10) comprising a housing (1), at least one semiconductor chip (2) arranged in the housing (1), and a casting compound (3). The semiconductor chip (2) comprises an active layer suitable for producing or detecting electromagnetic radiation. The casting compound (3) at least partially surrounds the semiconductor chip (2), reflective particles (3a) being embedded in the casting compound (3). The invention relates to a method for producing such a component and a compound structure.
(FR)L'invention porte sur un composant opto-électronique (10), qui comprend un boîtier (1), au moins une puce à semi-conducteurs (2) disposée dans le boîtier (1), et une masse de scellement (3). La puce à semi-conducteurs (2) comporte une couche active, convenant à la production et à la détection de rayonnement électromagnétique. La masse de scellement (3) entoure la puce à semi-conducteurs (2) au moins par zones, des particules réfléchissantes (3a) étant incorporées dans la masse de scellement (3). L'invention porte en outre sur un procédé de fabrication d'un tel composant, ainsi que sur un composite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)