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1. WO2011147290 - DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE COMPRENANT DES COUCHES DE DISSIPATION DE CHALEUR À RAYONNEMENT THERMIQUE

Numéro de publication WO/2011/147290
Date de publication 01.12.2011
N° de la demande internationale PCT/CN2011/074477
Date du dépôt international 21.05.2011
CIB
H01L 33/36 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
CPC
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
H01L 33/647
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
647the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Déposants
  • 景德镇正宇奈米科技有限公司 JINGDEZHEN FARED TECHNOLOGY CO LTD [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 陈烱勋 CHEN, Jeong-Shiun [CN]/[CN] (UsOnly)
Inventeurs
  • 陈烱勋 CHEN, Jeong-Shiun
Mandataires
  • 北京国枫凯文律师事务所 GRANDWAY LAW OFFICES
Données relatives à la priorité
201020206922.528.05.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT EMITTING DIODE WITH THERMORADIATION HEAT-DISSIPATION LAYERS
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE COMPRENANT DES COUCHES DE DISSIPATION DE CHALEUR À RAYONNEMENT THERMIQUE
(ZH) 具有热辐射散热层的发光二极管
Abrégé
(EN)
A light emitting diode (2) with thermoradiation heat-dissipation layers is provided, which includes a sapphire substrate (50), a first thermoradiation heat-dissipation layer (61), a second thermoradiation heat-dissipation layer (63), an epitaxial light-emitting structure (70), a first metal contact layer (81) and a second metal contact layer (83). The thermoradiation heat-dissipation layers (61, 63) improve heat radiation efficiency.
(FR)
L'invention porte sur une diode électroluminescente (2) comprenant des couches de dissipation de chaleur à rayonnement thermique, laquelle diode comprend un substrat en saphir (50), une première couche de dissipation de chaleur à rayonnement thermique (61), une seconde couche de dissipation de chaleur à rayonnement thermique (63), une structure émettrice de lumière épitaxiale (70), une première couche de contact métallique (81) et une seconde couche de contact métallique (83). Les couches de dissipation de chaleur à rayonnement thermique (61, 63) améliorent l'efficacité de rayonnement de chaleur.
Également publié en tant que
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