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1. (WO2011147115) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM NOIR PAR UTILISATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE PAR IMMERSION PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/147115    N° de la demande internationale :    PCT/CN2010/075454
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 26.07.2010
CIB :
C30B 33/12 (2006.01)
Déposants : THE INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3, Bei-Tu-Cheng West Road Chaoyang district Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
XIA, Yang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Bangwu [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LI, Chaobo [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Jie [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Minggang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LI, Yongtao [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : XIA, Yang; (CN).
LIU, Bangwu; (CN).
LI, Chaobo; (CN).
LIU, Jie; (CN).
WANG, Minggang; (CN).
LI, Yongtao; (CN)
Mandataire : BEIJING DEQUAN LAWFIRM; Suite 1008, Kuntai International Mansion, B12 Chaowai Avenue Chaoyang District Beijing 100020 (CN)
Données relatives à la priorité :
201010181010.1 25.05.2010 CN
201010235399.3 23.07.2010 CN
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING BLACK SILICON BY USING PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM NOIR PAR UTILISATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE PAR IMMERSION PLASMA
(ZH) 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating black silicon by using plasma immersion ion implantation is provided, which includes: putting a silicon wafer into a chamber of a black silicon fabrication apparatus; adjusting processing parameters of the black silicon fabrication apparatus to preset scales; generating plasmas in the chamber of the black silicon fabrication apparatus; implanting reactive ions among the plasmas into the silicon wafer, and forming the black silicon by means of the reaction of the reactive ions and the silicon wafer. The method can form the black silicon which has a strong light absorption property and is sensitive to light, and has advantages of high productivity, low cost and simple production process.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de silicium noir par implantation ionique par immersion plasma, ledit procédé incluant : le placement d'une tranche de silicium dans une chambre d'un dispositif de fabrication de silicium noir; l'ajustement des paramètres de traitement du dispositif de fabrication de silicium noir à des valeurs prédéterminées; la génération de plasmas dans la chambre du dispositif de fabrication de silicium noir; l'implantation d'ions réactifs présents au sein des plasmas dans la tranche de silicium, et la formation du silicium noir par réaction entre les ions réactifs et la tranche de silicium. Le procédé permet d'obtenir du silicium noir qui présente de fortes propriétés d'absorption de la lumière et qui est sensible à la lumière et présente des avantages en termes de productivité élevée, de coûts réduits et de simplicité du processus de production.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)