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1. (WO2011133836) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS SUR UN SUBSTRAT PAR DÉPÔT SÉLECTIF ASSISTÉ PAR IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/133836    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/033529
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 22.04.2011
CIB :
G03C 5/00 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US) (Tous Sauf US).
RAMAPPA, Deepak, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
GODET, Ludovic [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RAMAPPA, Deepak, A.; (US).
GODET, Ludovic; (US)
Mandataire : LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
61/326,788 22.04.2010 US
13/091,289 21.04.2011 US
Titre (EN) METHOD FOR PATTERNING A SUBSTRATE USING ION ASSISTED SELECTIVE DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS SUR UN SUBSTRAT PAR DÉPÔT SÉLECTIF ASSISTÉ PAR IONS
Abrégé : front page image
(EN)A method of patterning a substrate includes providing a focusing plate adjacent to a plasma chamber containing a plasma, the focusing plate configured to extract ions from the plasma through at least one aperture that provides focused ions towards the substrate. The method further includes directing first ions through the at least one aperture to one or more first regions of the substrate so as to condense first gaseous species provided in ambient of the substrate on the one or more first regions of the substrate.
(FR)Procédé de formation de motifs sur un substrat consistant à utiliser une plaque de focalisation adjacente à une chambre à plasma contenant un plasma, la plaque de focalisation étant conçue pour extraire des ions du plasma par au moins une ouverture qui dirige les ions focalisés en direction du substrat. Le procédé consiste également à diriger des premiers ions par ladite au moins ouverture vers une ou plusieurs premières régions du substrat de manière à condenser des premières espèces gazeuses présentes dans l'atmosphère ambiante du substrat sur ladite ou lesdites premières régions du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)