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1. (WO2011133410) PROCÉDÉS ET APPAREILS PERMETTANT DE RÉDUIRE L'ENDOMMAGEMENT PROVOQUÉ PAR LA LUMIÈRE DANS DES CELLULES SOLAIRES À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/133410    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/032612
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 15.04.2011
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/075 (2012.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
AL-BAYATI, Amir [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAE, Yong, K. [KR/US]; (US) (US Seulement).
SHENG, Shuran [CA/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Bhaskar [IN/US]; (US) (US Seulement).
VALFER, Eran [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : AL-BAYATI, Amir; (US).
CHAE, Yong, K.; (US).
SHENG, Shuran; (US).
KUMAR, Bhaskar; (US).
VALFER, Eran; (DE)
Mandataire : SERVILLA, Scott, S.; Diehl Servilla LLC 33 Wood Avenue South Second Floor, Suite 210 Iselin, New Jersey 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
12/765,458 22.04.2010 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHODS FOR REDUCING LIGHT INDUCED DAMAGE IN THIN FILM SOLAR CELLS
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREILS PERMETTANT DE RÉDUIRE L'ENDOMMAGEMENT PROVOQUÉ PAR LA LUMIÈRE DANS DES CELLULES SOLAIRES À FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus and methods for forming a silicon-containing i-layer on a substrate for a thin film photovoltaic cell are disclosed. The apparatus includes a chamber body defining a processing region containing the substrate, a hydrogen source and a silane source coupled to a plasma generation region, an RF power source that applies power at a power level in the plasma generation region to generate a plasma and deposit the silicon-containing i-layer at a selected deposition rate to a selected thickness and a controller. The controller controls the power level and the deposition rate of the i-layer on the substrate such that the thin film solar cell exhibits light induced damage that conforms to a linear fit of the product of the RF power, the deposition rate and the selected thickness of the i-layer. In accordance with further aspects of the present invention, the controller controls the RF power and the deposition rate so that a product (x) of the RF power in watts, the deposition rate of the i-layer in nm per min and the thickness of the i-layer in nm is less than a predetermined number y and satisfies the equation y = 5E11 *x + 3.3749 plus or minus a margin.
(FR)L'invention concerne des appareils et des procédés permettant de former une couche i contenant du silicium sur un substrat d'une cellule photovoltaïque à film mince. L'appareil comprend un corps de chambre définissant une région de traitement contenant le substrat, une source d'hydrogène et une source de silane couplées à une région de génération de plasma, une source de puissance RF qui applique un certain niveau de puissance dans la région de génération de plasma et dépose la couche i contenant du silicium à une vitesse de dépôt sélectionnée jusqu'à une épaisseur sélectionnée, et un dispositif de commande. Le dispositif de commande commande le niveau de puissance et la vitesse de dépôt de la couche i sur le substrat de telle manière que la cellule solaire à film mince présente un endommagement provoqué par la lumière qui répond à une adéquation linéaire du produit de la puissance RF, de la vitesse de dépôt et de l'épaisseur sélectionnée de la couche i. Selon d'autres aspects de la présente invention, le dispositif de commande commande la puissance RF et la vitesse de dépôt de telle manière qu'un produit (x) de la puissance RF en watts, de la vitesse de dépôt de la couche i en nm par min. et de l'épaisseur de la couche i en nm est inférieur à un nombre prédéterminé y et satisfait à l'équation y = 5E11 *x + 3.3749 plus ou moins une marge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)