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1. (WO2011133361) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES MUNI DES COUCHES D'INTERFACE EN COMPOSÉ DÉPOSÉ PAR ÉLECTROLYSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/133361    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/032130
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 12.04.2011
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : ENCORESOLAR, INC. [US/US]; 6541 Via Del Oro, Unit B San Jose, CA 95119 (US) (Tous Sauf US).
BASOL, Bulent, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BASOL, Bulent, M.; (US)
Mandataire : BLUMENTHAL, David, A.; Morrison & Foerster LLP 555 West Fifth Street Los Angeles, CA 90013-1024 (US)
Données relatives à la priorité :
61/342,942 21.04.2010 US
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING SOLAR CELLS WITH ELECTRODEPOSITED COMPOUND INTERFACE LAYERS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES MUNI DES COUCHES D'INTERFACE EN COMPOSÉ DÉPOSÉ PAR ÉLECTROLYSE
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a solar cell involves electroplating a Group IIB-VIA material as a first or sub-layer over a junction partner layer, and then forming a second layer, also of a Group IIB-VIA material over the sub-layer. Both the sub-layer and the second layer comprise Te. The electroplating is performed at relatively low temperatures, as for example, below 100°C. Forming the sub-layer by low temperature electroplating produces a small grained compact film that protects the interface between the sub-layer and the junction partner during the formation of the second layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire comprenant l'électrodéposition d'un matériau du groupe IIB-VIA en tant que première couche ou sous-couche sur une couche associée de jonction, puis la formation d'une seconde couche, également d'un matériau du groupe IIB-VIA, au-dessus de la sous-couche. La sous-couche et la seconde couche comportent toutes les deux du tellure. L'électrodéposition est réalisée à des températures relativement basses, par exemple inférieures à 100°C. La formation de la sous-couche par électrodéposition à basse température donne un film compact à grain fin protégeant l'interface entre la sous-couche et la couche associée de jonction lors de la formation de la seconde couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)