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1. (WO2011133304) DOPAGE DE TYPE N À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/133304    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/030603
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 30.03.2011
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
MELNIK, Yuriy [RU/US]; (US) (US Seulement).
KRYLIOUK, Olga [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Lu [CN/US]; (US) (US Seulement).
KOJIRI, Hidehiro [JP/US]; (US) (US Seulement).
TETSUYA, Ishikawa [JP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MELNIK, Yuriy; (US).
KRYLIOUK, Olga; (US).
CHEN, Lu; (US).
KOJIRI, Hidehiro; (US).
TETSUYA, Ishikawa; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
61/326,560 21.04.2010 US
13/071,215 24.03.2011 US
Titre (EN) GROUP III-NITRIDE N-TYPE DOPING
(FR) DOPAGE DE TYPE N À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS DU GROUPE III
Abrégé : front page image
(EN)A method for N-type doping a group Ill-nitride film is disclosed. A silicon (Si) dopant source in a delivery line is coupled with a reaction chamber configured to form the group Ill-nitride film. A chlorine-containing species is added to the Si dopant source in the delivery line to form a Si-doped group Ill-nitride film in the reaction chamber.
(FR)La présente invention concerne des techniques de dopage de type n à base de nitrures d'éléments du groupe III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)