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1. (WO2011132923) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE COMMANDE RAID ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/132923    N° de la demande internationale :    PCT/KR2011/002813
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 20.04.2011
CIB :
G06F 13/14 (2006.01), G06F 13/16 (2006.01), G06F 13/38 (2006.01), G06F 12/00 (2006.01)
Déposants : TAEJIN INFORTECH CO.,LTD. [KR/KR]; 2F Namkyoung Bldg. 37 Seobinggo-dong, Yongsan-gu Seoul 140-240 (KR) (Tous Sauf US).
CHO, Byung Cheol [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHO, Byung Cheol; (KR)
Mandataire : JEONG, Hwoi Hwan; Suite 713, Cheongsa Offistel 915 Dunsan-dong, Seo-gu Daejeon-si 302-120 (KR)
Données relatives à la priorité :
12/763,701 20.04.2010 US
Titre (EN) RAID CONTROL SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE COMMANDE RAID ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 알에이아이디 제어 반도체 저장 장치 및 그 형성 방법
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a PCI-Express type storage device for providing data storing/reading services through a PCI-Express interface. The PCI-Express type storage device comprises: a memory disk unit including a plurality of memory disks having a plurality of volatile semiconductor memories; a PCI-Express host interface unit for interfacing between the memory disk unit and a host; and a control unit which adjusts the synchronization of the data signals transmitted/received between the PCI-Express host interface unit and the memory disk unit so as to control the data transmitting/receiving speed between the PCI-Express host interface unit and the memory disk unit. The storage device can sufficiently utilize the performance of the memory disk for the high data processing speed in the existing interface environment by simultaneously supporting the low data processing speed for the host and the high data processing speed for the memory disk unit.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémorisation de type PCI-Express servant à produire des services de mémorisation/lecture de données au moyen d'une interface PCI-Express. Le dispositif de mémorisation de type PCI-Express comprend : une unité de disques mémoire comprenant une pluralité de disques mémoire comportant une pluralité de mémoires semi-conductrices volatiles ; une unité d'interface hôte PCI-Express servant d'interface entre l'unité de disques mémoire et un hôte ; et une unité de commande qui règle la synchronisation des signaux de données transmis/reçus entre l'unité d'interface hôte PCI-Express et l'unité de disques mémoire afin de commander la vitesse de transmission/réception de données entre l'unité d'interface hôte PCI-Express et l'unité de disques mémoire. Le dispositif de mémorisation peut utiliser suffisamment les performances du disque mémoire pour la vitesse de traitement de données élevée dans l'environnement d'interface existant en supportant simultanément la vitesse de traitement de données basse pour l'hôte et la vitesse de traitement de données élevée pour l'unité de disques mémoire.
(KO)본 발명은 PCI-Express 인터페이스를 통해서 데이터 저장/판독 서비스를 제공해주는 PCI-Express 타입의 저장장치가 제공된다. 상기 PCI-Express 타입의 저장장치는 복수의 휘발성 반도체 메모리가 구비된 복수의 메모리 디스크를 포함하는 메모리 디스크부, 상기 메모리 디스크부와 호스트 사이를 인터페이스하는 PCI-Express 호스트 인터페이스부, 및 상기 PCI-Express 호스트 인터페이스부와 메모리 디스크부 사이의 데이터 송/수신 속도를 제어하기 위해서 상기 호스트 인터페이스부와 상기 메모리 디스크부 사이에 송/수신되는 데이터 신호의 동기를 조절하는 제어기부를 포함한다. 이러한 저장 장치는 호스트를 위한 저속 데이터 처리속도를 지원할 수 있고 동시에 메모리 디스크부를 위한 고속 데이터 처리 속도를 지원할 수 있으므로, 기존의 인터페이스 환경에서 고속 데이터 처리 속도가 가능하도록 메모리 디스크의 성능이 충분히 활용될 수 있는 이점이 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)