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1. (WO2011132654) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/132654    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/059582
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 19.04.2011
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES,LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
MAEDA, Yoko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Fumitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HACHIGO, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAEDA, Yoko; (JP).
SATO, Fumitaka; (JP).
HACHIGO, Akihiro; (JP).
NAKAHATA, Seiji; (JP)
Mandataire : NAKATA, Motomi; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 5540024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-096818 20.04.2010 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE
(JA) 複合基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a composite substrate of which the bond strength is high between a second substrate and a first substrate comprising a nitride compound semiconductor. The method, which is for producing a composite substrate, is characterized by containing: a step for performing ion implantation from the surface of a bulk substrate comprising a nitride compound semiconductor; a step for obtaining a bonded substrate by means of bonding said bulk substrate and a second substrate; a step for heating the bonded substrate to a first temperature; a step for maintaining said first temperature for a set time period; and a step for generating the composite substrate by means of separating a portion of said bulk substrate from the aforementioned bonded substrate in a manner so that the first substrate, which is the other portion of the bulk substrate, remains on the second substrate; and the method is further characterized by the belowmentioned formula (I) being satisfied when considering the first temperature to be T1°C, the coefficient of thermal expansion of the first substrate to be A×10-6/°C, and the coefficient of thermal expansion of the second substrate to be B×10-6/°C: 215 ≤ 10 (A - B)2 - 10 (A - B) + T1 ≤ 410 ...(I).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un substrat composite caractérisé par une force d'adhérence élevée entre un deuxième substrat et un premier substrat comportant un semiconducteur en composé nitrure. Le procédé de production d'un substrat composite est caractérisé en ce qu'il comporte : une étape consistant à effectuer une implantation d'ions à partir de la surface d'un substrat massif comportant un semiconducteur en composé nitrure ; une étape consistant à obtenir un substrat collé par collage dudit substrat massif et d'un deuxième substrat ; une étape consistant à chauffer le substrat collé jusqu'à une première température ; une étape consistant à maintenir ladite première température pendant une durée spécifiée ; et une étape consistant à générer le substrat composite en séparant une partie dudit substrat massif dudit substrat collé de telle manière que le premier substrat, qui constitue l'autre partie du substrat massif, reste sur le deuxième substrat ; et le procédé est en outre caractérisé en ce que la formule (I) ci-dessous est satisfaite lorsque la première température est notée T1°C, le coefficient de dilatation thermique du premier substrat étant noté A×10-6/°C et le coefficient de dilatation thermique du deuxième substrat étant noté B×10-6/°C : 215 ≤ 10 (A - B)2 - 10 (A - B) + T1 ≤ 410… (I).
(JA)窒化物系化合物半導体からなる第1の基板と、第2の基板との接合強度が高い複合基板の製造方法を提供する。本発明の複合基板の製造方法は、窒化物系化合物半導体からなるバルク基板の表面からイオン注入を行なうステップと、該バルク基板と第2の基板とを貼り合わせることにより貼り合わせ基板を得るステップと、貼り合わせ基板を第1温度まで昇温するステップと、該第1温度を一定時間保持するステップと、該バルク基板の一部である第1の基板が第2の基板上に残るように、バルク基板の他の部分を前記貼り合わせ基板から分離することにより複合基板を生成するステップとを含み、第1温度をT1℃とし、第1の基板の熱膨張係数をA×10-6/℃とし、第2の基板の熱膨張係数をB×10-6/℃とすると、下記式(I)を満たすことを特徴とする。 215≦10(A-B)2-10(A-B)+T1≦410 ・・・(I)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)