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1. (WO2011132601) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE VERRE UTILISÉ POUR LA FORMATION D'UNE ÉLECTRODE TRAVERSANTE D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/132601    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/059318
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 14.04.2011
CIB :
C03B 33/02 (2006.01), B23K 26/00 (2006.01), B23K 26/06 (2006.01), B23K 26/38 (2006.01), H01L 23/15 (2006.01), H01L 23/32 (2006.01)
Déposants : Asahi Glass Company, Limited. [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
ONO Motoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIKE Akio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAKAMI Ryota [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIKUGAWA Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ONO Motoshi; (JP).
KOIKE Akio; (JP).
MURAKAMI Ryota; (JP).
KIKUGAWA Shinya; (JP)
Mandataire : OGURI Shohei; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-097226 20.04.2010 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE USED FOR FORMING THROUGH-ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE VERRE UTILISÉ POUR LA FORMATION D'UNE ÉLECTRODE TRAVERSANTE D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a glass substrate used for forming a through-electrode of a semiconductor device. Said method can appropriately form a plurality of through holes without creating cracks or deformations etc. in the glass substrate, by irradiating the glass substrate with laser light. The method for manufacturing a glass substrate used for forming a through-electrode of a semiconductor device has: (1) a step for preparing a glass substrate having a thickness of 0.01 mm to 5 mm, an included amount of SiO2 of 50 wt% to 70 wt%, and an average thermal expansion coefficient of 10x10-7/K to 50x10-7/K at 50°C to 300°C; (2) a step for arranging the glass substrate in the optical path of excimer laser light that is output from an excimer laser light generator; (3) a step for arranging a mask, which does not have through holes, in the optical path between the excimer laser light generator and the glass substrate; and (4) a step for irradiating excimer laser light from the excimer laser light generator onto the glass substrate along the optical path to form through holes in the glass substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de verre utilisé pour la formation d'une électrode traversante d'un dispositif à semi-conducteurs. Ce procédé permet de former de façon appropriée une pluralité de trous traversants sans provoquer de fissures ou de déformations dans le substrat de verre, et ce, en soumettant à un rayonnement de lumière laser ce substrat de verre. Ce procédé de fabrication d'un substrat de verre utilisé pour la formation d'une électrode traversante d'un dispositif à semi-conducteurs comporte les étapes suivantes: (1) élaboration d'un substrat de verre d'une épaisseur de 0,01 à 5 mm, présentant une teneur en SiO2 allant de 50% en poids à 70% en poids, et un coefficient moyen de dilatation compris allant de 10x10-7/K à 50x10-7/K dans une plage de températures allant 50°C à 300°C; (2) mise en place du substrat de verre dans le trajet optique de la lumière laser excimère qui est produite par un générateur de lumière laser excimère; (3) mise en place d'un masque dépourvu de trous traversants dans trajet optique, entre le générateur de lumière laser excimère et le substrat de verre; et (4) soumission du substrat de verre, dans le trajet optique, au rayonnement de la lumière laser excimère provenant du générateur de lumière laser excimère de façon à former les trous traversants dans le substrat de verre.
(JA) ガラス基板にレーザ光を照射することにより、ガラス基板にクラックや変形等を生じさせることなく、複数の貫通孔を適正に形成することが可能な、半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法を提供する。本発明は、(1)厚さが0.01mm~5mm、SiO含有量が50wt%~70wt%、50℃から300℃における平均熱膨張係数が10×10-7/K~50×10-7/Kのガラス基板を準備するステップ、(2)前記ガラス基板を、エキシマレーザ光発生装置からのエキシマレーザ光の光路上に配置するステップ、(3)前記エキシマレーザ光発生装置と、前記ガラス基板との間の前記光路上に、貫通開口を有さないマスクを配置するステップ、および、(4)前記エキシマレーザ光発生装置から、前記光路に沿って前記ガラス基板に、前記エキシマレーザ光を照射し、前記ガラス基板に貫通孔を形成するステップを有する半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法に関する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)