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1. (WO2011132590) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/132590    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/059224
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 07.04.2011
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-100197 23.04.2010 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)One object of one embodiment of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device including an oxide semiconductor, which has stable electrical characteristics. In a method for manufacturing a semiconductor device, a first insulating film is formed; source and drain electrodes and an oxide semiconductor film electrically connected to the source and drain electrodes are formed over the first insulating film; heat treatment is performed on the oxide semiconductor film so that a hydrogen atom in the oxide semiconductor film is removed; oxygen doping treatment is performed on the oxide semiconductor film, so that an oxygen atom is supplied into the oxide semiconductor film; a second insulating film is formed over the oxide semiconductor film; and a gate electrode is formed over the second insulating film so as to overlap with the oxide semiconductor film.
(FR)Un objectif d'une certaine forme de réalisation de la présente invention est de fournir un dispositif semi-conducteur extrêmement fiable comprenant un semi-conducteur en oxyde ayant des caractéristiques électriques stables. Le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprend : la formation d'un premier film isolant ; la formation d'électrodes de source et de drain et d'un film de semi-conducteur en oxyde électriquement connecté à l'électrode de source et à l'électrode de drain sur le premier film isolant ; un traitement thermique du film de semi-conducteur en oxyde de façon à éliminer un atome d'hydrogène dans le film de semi-conducteur en oxyde ; un traitement de dopage à l'oxygène du film de semi-conducteur en oxyde de façon à fournir un atome d'oxygène au film de semi-conducteur en oxyde ; la formation d'un second film isolant sur le film de semi-conducteur en oxyde ; et la formation d'une électrode de grille sur le second film isolant afin de recouvrir le film de semi-conducteur en oxyde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)