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1. (WO2011132556) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/132556    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/058956
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 05.04.2011
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-100201 23.04.2010 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In a manufacturing process of a bottom-gate transistor including an oxide semiconductor film, dehydration or dehydrogenation through heat treatment and oxygen doping treatment are performed. A transistor including an oxide semiconductor film subjected to dehydration or dehydrogenation through heat treatment and oxygen doping treatment can be a highly reliable transistor having stable electric characteristics in which the amount of change in threshold voltage of the transistor between before and after the bias-temperature stress (BT) test can be reduced.
(FR)L'invention concerne un processus de fabrication d'un transistor à grille centrale comprenant un film d'oxyde semi-conducteur, dans lequel on effectue une déshydratation ou une déshydrogénation par traitement thermique, puis un traitement de dopage à l'oxygène. Un transistor comprenant le film d'oxyde semi-conducteur qui a été soumis à une déshydratation ou à une déshydrogénation par traitement thermique, puis à un traitement de dopage à l'oxygène, peut être un transistor ayant une fiabilité élevée et des caractéristiques électriques stables, dans lequel l'amplitude de la variation de la tension de seuil du transistor peut être réduite entre avant et après l'essai de stabilité de température en polarisation (essai BT).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)