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1. (WO2011132394) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/132394    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/002243
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 15.04.2011
CIB :
H01L 33/42 (2010.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Hiroyuki; (US Seulement).
NAGAO, Nobuaki; (US Seulement).
HAMADA, Takahiro; (US Seulement).
FUJII, Eiji; (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Hiroyuki; .
NAGAO, Nobuaki; .
HAMADA, Takahiro; .
FUJII, Eiji;
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1 Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-096792 20.04.2010 JP
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオード
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a light emitting diode that simultaneously achieves an increase in the light extraction efficiency from a window electrode layer and a decrease in the contact resistance of a window electrode layer that is in contact with p-type GaN. An n-type nitride semiconductor layer, a multiple quantum well layer, a p-type nitride semiconductor layer, a window electrode layer, and a p-side electrode are layered in that order; an n-side electrode is electrically connected to the n-type nitride semiconductor layer; the window electrode layer is provided with an n-type ITO transparent electrode single crystal film and an n-type ZnO transparent electrode single crystal film; the p-side nitride semiconductor layer is in contact with the n-type ITO transparent electrode single crystal film; the n-type ITO transparent electrode single crystal film is in contact with the n-type ZnO transparent electrode single crystal film; the p-side electrode is electrically connected to the n-type ZnO transparent electrode single crystal film; the n-type ITO transparent electrode single crystal film comprises Ga in addition to In; the n-type ITO transparent electrode single crystal film has a Ga/(In+Ga) mole ratio in the range of 0.08 to 0.5; and the n-type ITO transparent electrode single crystal film has a thickness in the range of 1.1 nm to 55 nm.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente qui permet simultanément d'augmenter l'efficacité d'extraction de lumière d'une couche d'électrode de fenêtre et de réduire la résistance de contact d'une couche d'électrode de fenêtre qui est en contact avec du GaN de type p. Une couche semi-conductrice en nitrure de type n, une couche de puits quantique multiple, une couche semi-conductrice en nitrure de type p, une couche d'électrode de fenêtre et une électrode côté p sont déposées en couches dans cet ordre. Une électrode côté n est reliée électriquement à la couche semi-conductrice en nitrure de type n. La couche d'électrode de fenêtre comporte un film monocristallin d'électrode transparent en ITO de type n et un film monocristallin d'électrode transparent en ZnO de type n. La couche semi-conductrice en nitrure côté p est en contact avec le film monocristallin d'électrode transparent en ITO de type n. Le film monocristallin d'électrode transparent en ITO de type n est en contact avec le film monocristallin d'électrode transparent en ZnO de type n. L'électrode côté p est reliée électriquement au film monocristallin d'électrode transparent en ZnO de type n. Le film monocristallin d'électrode transparent en ITO de type n comprend du gallium en plus de l'indium, présente un rapport molaire Ga/(In+Ga) dans la gamme de 0,08 à 0,5, et a une épaisseur dans la gamme de 1,1 à 55 nm.
(JA)窓電極層からの光抽出効率の向上およびp型GaNに接する窓電極層の接触抵抗の低減を同時に達成する発光ダイオードを提供する。n型窒化物半導体層、多重量子井戸層、p型窒化物半導体層、窓電極層、およびp側電極は、この順に積層され、n側電極はn型窒化物半導体層に電気的に接続され、窓電極層は、単結晶n型ITO透明電極膜および単結晶n型ZnO透明電極膜を具備し、p側窒化物半導体層は、単結晶n型ITO透明電極膜に接しており、単結晶n型ITO透明電極膜は、単結晶n型ZnO透明電極膜に接しており、p側電極は、単結晶n型ZnO透明電極膜に電気的に接続されており、単結晶n型ITO透明電極膜はInだけでなくGaをも含有し、単結晶n型ITO透明電極膜は、0.08以上0.5以下のGa/(In+Ga)のモル比を有し、単結晶n型ITO透明電極膜は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)