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1. (WO2011131724) PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPERATURES A L'AIDE DE NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/131724    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/056337
Date de publication : 27.10.2011 Date de dépôt international : 20.04.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.01.2012    
CIB :
G01K 11/20 (2006.01), G01K 11/32 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
REISS, Peter [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
COMMUNAL, Daniel [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : REISS, Peter; (FR).
COMMUNAL, Daniel; (FR)
Mandataire : ILGART, Jean-Christophe; Brevalex 95 rue d'Amsterdam F-75378 Paris Cedex 8 (FR)
Données relatives à la priorité :
1053041 21.04.2010 FR
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR MEASURING TEMPERATURES USING SEMICONDUCTING NANOCRYSTALS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPERATURES A L'AIDE DE NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Method and device for measuring temperatures, in particular cryogenic temperatures, with the aid of semiconducting nanocrystals. To measure the temperature of an object (20), use is made of a sensor (24) comprising semiconducting nanocrystals, the nanocrystals are placed in thermal contact with the object, the nanocrystals are irradiated with an excitation light (26) such that they emit a fluorescence radiation (28), the decay time of the radiation is determined and the temperature is determined on the basis of this time. According to the invention, the excitation light (26) is modulated with a modulation signal, the phase shift between the modulation signal for the excitation light, which is reflected by the sensor, and the fluorescence radiation detected (28) is measured, and the decay time is determined on the basis of the phase shift thus measured.
(FR)Procédé et dispositif de mesure de températures, notamment de températures cryogéniques, à l'aide de nanocristaux semiconducteurs. Pour mesurer la température d'un objet (20), on utilise un capteur (24) comportant des nanocristaux semiconducteurs, on met les nanocristaux en contact thermique avec l'objet, on irradie les nanocristaux par une lumière d'excitation (26) telle qu'ils émettent un rayonnement de fluorescence (28), on détermine le temps de décroissance du rayonnement et l'on détermine la température à partir de ce temps. Selon l'invention, on module la lumière d'excitation (26) par un signal de modulation, on mesure le déphasage entre le signal de modulation de la lumière d'excitation, qui est réfléchie par le capteur, et le rayonnement de fluorescence détecté (28), et l'on détermine le temps de décroissance à partir du déphasage ainsi mesuré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)