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1. (WO2011130284) DÉTECTEUR INFRAROUGE NON REFROIDI ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/130284    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/032136
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 12.04.2011
CIB :
H01L 27/14 (2006.01)
Déposants : MIKROSENS ELEKTRONIK SAN. VE TIC. A.S. [TR/TR]; ODTU Teknokent ODTU-MET Alani Eskisehir Yolu 9. Km A-1 Blok 4, Bolum Ofis 5 Ankara 06530 (TR) (Tous Sauf US).
AKIN, Tayfun [TR/TR]; (TR) (US Seulement).
EMINOGLU, Selim [TR/TR]; (TR) (US Seulement).
VAKIL, Ketan S. [US/US]; (US) (GH only)
Inventeurs : AKIN, Tayfun; (TR).
EMINOGLU, Selim; (TR)
Mandataire : VAKIL, Ketan S.; Snell & Wilmer L.L.P. 600 Anton Boulevard Suite 1400 Costa Mesa, California 92626 (US)
Données relatives à la priorité :
61/322,982 12.04.2010 US
Titre (EN) UNCOOLED INFRARED DETECTOR AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DÉTECTEUR INFRAROUGE NON REFROIDI ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure discusses various methods for manufacturing uncooled infrared detectors by using foundry-defined silicon-on-insulator (SOI) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers, each of which may include a substrate layer, an insulation layer having a pixel region and a wall region surrounding the pixel region, a pixel structure formed on the pixel region of the insulation layer, a wall structure formed adjacent to the pixel structure and on the wall region of the insulation layer, a dielectric layer covering the pixel structure and the wall structure, a pixel mask formed within the dielectric layer and for protecting the pixel structure during a dry etching process, and a wall mask formed within the dielectric layer and for protecting the wall structure during the dry etching process, thereby releasing a space defined between the wall structure and the pixel structure after the dry etching process.
(FR)La présente invention a trait à divers procédés de fabrication de détecteurs infrarouges non refroidis utilisant des plaquettes de semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS) de silicium sur isolant définies par fonderie de silicium, chacune d'entre elles pouvant inclure une couche de substrat, une couche isolante dotée d'une zone de pixel et d'une zone de paroi entourant la zone de pixel, une structure de pixel formée sur la zone de pixel de la couche isolante, une structure de paroi formée de manière à être adjacente à la structure de pixel et sur la zone de paroi de la couche isolante, une couche diélectrique recouvrant la structure de pixel et la structure de paroi, un masque de pixel formé à l'intérieur de la couche diélectrique et permettant de protéger la structure de pixel au cours d'un processus de gravure sèche, et un masque de paroi formé à l'intérieur de la couche diélectrique et permettant de protéger la structure de paroi au cours du processus de gravure sèche, ce qui permet de libérer un espace défini entre la structure de paroi et la structure de pixel après le processus de gravure sèche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)