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1. (WO2011130099) APPAREIL ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION D'ÉCHANTILLONS PAR FAISCEAU D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/130099    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/031651
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 08.04.2011
CIB :
G01N 1/28 (2006.01), H01J 37/20 (2006.01)
Déposants : GATAN INC. [US/US]; 5794 W. Las Positas Blvd. Pleasanton, CA 94588 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : COYLE, Steven, Thomas; (US).
HUNT, John, Andrew; (US)
Mandataire : HESKE, Theodore, III; 1486 Maple Ridge Drive Suwanee, GA 30024 (US)
Données relatives à la priorité :
61/322,870 11.04.2010 US
13/082,370 07.04.2011 US
Titre (EN) ION BEAM SAMPLE PREPARATION APPARATUS AND METHODS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION D'ÉCHANTILLONS PAR FAISCEAU D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are embodiments of an ion beam sample preparation apparatus and methods for using the embodiments. The apparatus comprises an ion beam irradiating means in a vacuum chamber that may direct ions toward a sample, a shield blocking a portion of the ions directed toward the sample, and a shield retention stage with shield retention means that replaceably and removably holds the shield in a position. Complementary datum features on both shield and shield retention stage enable accurate and repeatable positioning of the sample in the apparatus for sample processing and reprocessing. A retention stage lifting means allows the creation of a loading chamber that is isolated from the main vacuum chamber where sample ion beam milling takes place. A heat sink means is configured to conduct heat away from the sample undergoing sample preparation in the ion beam.
(FR)L'invention concerne des modes de réalisation d'un appareil de préparation d'échantillons par faisceau d'ions et des procédés d'utilisation des modes de réalisation. L'appareil comprend un moyen d'émission d'un faisceau d'ions dans une chambre sous vide qui peut diriger des ions vers un échantillon, un écran bloquant une partie des ions dirigés vers l'échantillon et un plateau de rétention de l'écran comprenant un moyen de rétention de l'écran qui maintient l'écran en place de manière déplaçable et amovible. Des repères complémentaires sur l'écran et le plateau de rétention de l'écran permettent un positionnement précis et répétable de l'échantillon dans l'appareil pour le traitement et le retraitement de l'échantillon. Un moyen de soulèvement du plateau de rétention permet la création d'une chambre de chargement qui est isolée de la chambre sous vide principale où l'usinage de l'échantillon par le faisceau d'ions a lieu. Un moyen de dissipation thermique est configuré pour dissiper la chaleur de l'échantillon subissant la préparation d'échantillon dans le faisceau d'ions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)