WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011130014) PLASMA PULSÉ POUR EFFECTUER UN TRAITEMENT DE CONFORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/130014    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/030737
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 31.03.2011
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/223 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
MAYNARD, Helen [US/US]; (US) (US Seulement).
SINGH, Vikram [US/US]; (US) (US Seulement).
RADOVANOV, Svetlana [US/US]; (US) (US Seulement).
PERSING, Harold [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAYNARD, Helen; (US).
SINGH, Vikram; (US).
RADOVANOV, Svetlana; (US).
PERSING, Harold; (US)
Mandataire : LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
12/760,847 15.04.2010 US
Titre (EN) PULSED PLASMA TO AFFECT CONFORMAL PROCESSING
(FR) PLASMA PULSÉ POUR EFFECTUER UN TRAITEMENT DE CONFORMATION
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing method is provided. The plasma processing method includes using the after-glow of a pulsed power plasma to perform conformal processing. During the afterglow, the equipotential field lines follow the contour of the workpiece surface, allowing ions to be introduced in a variety of incident angles, especially to non-planar surfaces, in another aspect of the disclosure, the platen may be biased positively during the plasma afterglow to attract negative ions toward the workpiece. Various conformal processing steps, such as implantation, etching and deposition may be performed.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement au plasma. Le procédé de traitement au plasma met en œuvre l'utilisation de la post-luminescence d'un plasma de puissance pulsé pour effectuer un traitement de conformation. Pendant la post-luminescence, les lignes de champ équipotentielles suivent le contour de la surface de pièce à travailler, permettant à des ions d'être introduits selon une variété d'angles d'incidence, spécialement sur des surfaces non planes. Dans un autre aspect de l'invention, le plateau peut être polarisé de façon positive pendant la post-luminescence de plasma afin d'attirer des ions négatifs vers la pièce à travailler. Différentes étapes de traitement de conformation, telles qu'une implantation, une gravure et un dépôt, peuvent être effectuées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)