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1. (WO2011129957) REMPLISSAGE PRÉFÉRENTIEL PAR DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/129957    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/029428
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 22.03.2011
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
KWESKIN, Sasha [US/US]; (US) (US Seulement).
HAMANA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GEE, Paul Edward [US/US]; (US) (US Seulement).
VENKATARAMAN, Shankar [US/US]; (US) (US Seulement).
SAPRE, Kedar [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KWESKIN, Sasha; (US).
HAMANA, Hiroshi; (JP).
GEE, Paul Edward; (US).
VENKATARAMAN, Shankar; (US).
SAPRE, Kedar; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene J.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP 1400 Wewatta Street, Suite 600 Denver, Colorado 80202 (US)
Données relatives à la priorité :
61/322,958 12.04.2010 US
13/052,238 21.03.2011 US
Titre (EN) PREFERENTIAL DIELECTRIC GAPFILL
(FR) REMPLISSAGE PRÉFÉRENTIEL PAR DIÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Aspects of the disclosure pertain to methods of preferentially filling narrow trenches with silicon oxide while not completely filling wider trenches and/or open areas. In embodiments, dielectric layers are deposited by flowing a silicon-containing precursor and ozone into a processing chamber such that a relatively dense first portion of a silicon oxide layer followed by a more porous (and more rapidly etched) second portion of the silicon oxide layer. Narrow trenches are filled with dense material whereas open areas are covered with a layer of dense material and more porous material. Dielectric material in wider trenches may be removed at this point with a wet etch while the dense material in narrow trenches is retained.
(FR)L'invention concerne des procédés de remplissage préférentiel de tranchées étroites par de l'oxyde de silicium, tout en ne remplissant pas totalement des tranchées plus larges et/ou des zones dégagées. Dans certains modes de réalisation, des couches diélectriques sont déposées par écoulement d'un précurseur, qui contient du silicium, et d'ozone dans une chambre de traitement, de telle sorte que l'on obtient dans une couche d'oxyde de silicium une première partie relativement dense, suivie d'une seconde partie plus poreuse (et gravée plus rapidement). Les tranchées étroites sont remplies de matériau dense tandis que les zones dégagées sont recouvertes d'une couche de matériau dense et de matériau plus poreux. Le matériau diélectrique dans les tranchées plus larges peut être éliminé à cet instant par une gravure humide, tandis que le matériau dense est maintenu dans les tranchées étroites.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)