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1. (WO2011129548) ENSEMBLE SUBSTRAT POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE UTILISANT LEDIT ENSEMBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/129548    N° de la demande internationale :    PCT/KR2011/002454
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 07.04.2011
CIB :
H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01)
Déposants : SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-851 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Chung Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YE, Kyung Hee [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KAL, Dae Sung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SEO, Won Cheol [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Chung Hoon; (KR).
YE, Kyung Hee; (KR).
KAL, Dae Sung; (KR).
SEO, Won Cheol; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; Shinwon Building 8F, 823-14 Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-933 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2010-0033113 12.04.2010 KR
Titre (EN) SUBSTRATE ASSEMBLY FOR CRYSTAL GROWTH AND FABRICATING METHOD FOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME
(FR) ENSEMBLE SUBSTRAT POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE UTILISANT LEDIT ENSEMBLE
Abrégé : front page image
(EN)A substrate assembly on which a first conduction-type semiconductor layer, an active layer and a second conduction-type semiconductor layer are formed is disclosed, the substrate assembly comprising a first substrate, a second substrate and a bonding layer interposed there between. In the substrate assembly, the thermal expansion coefficient of the bonding layer is smaller than or equal to that of at least one of the first and second substrates.
(FR)L'invention concerne un ensemble substrat sur lequel sont formées une couche semi-conductrice d'un premier type de conduction, une couche active et une couche semi-conductrice d'un deuxième type de conduction. L'ensemble substrat comprend un premier substrat, un deuxième substrat et une couche de liaison intercalée entre ceux-ci. Dans l'ensemble substrat, le coefficient de dilatation thermique de la couche de liaison est inférieur ou égal à celui du premier et/ou du deuxième substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)