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1. (WO2011129352) DISPOSITIF MEMS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/129352    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/059138
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 13.04.2011
CIB :
H03H 3/007 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), H03H 9/24 (2006.01)
Déposants : THE RITUMEIKAN TRUST [JP/JP]; 1-7, Toganoo-cho, Nishinokyou, Nakagyou-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048520 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI Kenichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAMANO Akimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKADA Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KISO Masaya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI Kenichiro; (JP).
TAMANO Akimasa; (JP).
OKADA Mitsuhiro; (JP).
KISO Masaya; (JP)
Mandataire : KISHIMOTO Yasuhiro; c/o SANYO Electric Co., Ltd., 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-095163 16.04.2010 JP
Titre (EN) MEMS DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF MEMS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) MEMSデバイスおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a production method for MEMS devices, whereby it is easy to manufacture a structure in which the surface of a substrate and the bottom surface of a vibration member face one another with a sufficiently narrow gap therebetween. The MEMS device production method is a method for producing a MEMS device that comprises a vibrating section (2), which is a floating structure affixed to a substrate, and a raised facing section (5), which is separate from and faces part of the vibrating section (2) region. Said method includes: a step for preparing an SOI substrate; a step for patterning a first silicone layer, forming an outer frame section and the raised facing section (5), and forming through-holes (18) in the raised and facing section (5); a step for creating a state of separation between the raised facing section (5) and a second silicone layer by etching away part of an intermediate insulating layer; a step for collectively adhering substrates so as to cover the outer frame and the raised facing section; and a step for forming a vibrating section (2) by patterning the second silicone layer and then further isolating the raised facing section.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif MEMS permettant de fabriquer aisément une structure comprenant une surface de substrat et une surface inférieure d'élément vibrant en regard l'une de l'autre, séparées d'un espace suffisamment étroit. Le procédé de fabrication d'un dispositif MEMS permet de fabriquer un dispositif MEMS qui comprend une partie vibrante (2) jouant le rôle de structure flottante fixée à un substrat, et une partie en regard rehaussée (5) qui est séparée de la partie vibrante (5) et en regard de celle-ci. Le procédé comprend les étapes suivantes : une étape consistant à préparer un substrat SOI ; une étape consistant à appliquer un motif sur une première couche de silicium, à former une partie cadre extérieur et une partie en regard rehaussée (5), et à ménager des trous traversants (18) dans la partie en regard rehaussée (5) ; une étape consistant à créer une séparation entre la partie en regard rehaussée (5) et une deuxième couche de silicium par élimination par gravure d'une partie d'une couche isolante intermédiaire ; une étape consistant à souder collectivement un substrat de recouvrement ; et une étape consistant à former une partie vibrante (2) par application d'un motif sur la deuxième couche de silicium et à isoler davantage la partie en regard rehaussée.
(JA)【課題】MEMSデバイスの製造方法において、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を容易に製造可能とする。 【解決手段】MEMSデバイスの製造方法は、基材に固定された浮き構造体としての振動部2と、振動部2の一部の領域に対して離隔対向しているかさ上げ対向部5とを備えるMEMSデバイスを製造する方法であって、SOI基板を用意する工程と、第1シリコン層をパターニングして、外枠部とかさ上げ対向部5とを形成し、かつ、かさ上げ対向部5には貫通孔18を形成する工程と、中間絶縁層の一部をエッチング除去することによってかさ上げ対向部5と第2シリコン層とが互いに離隔した状態を作り出す工程と、一括して被覆するように基材を貼り付ける工程と、前記第2シリコン層をパターニングすることによって振動部2を形成し、さらにかさ上げ対向部5を孤立させる工程とを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)