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1. (WO2011129322) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/129322    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/059066
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 12.04.2011
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : KYOCERA Corporation [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (Tous Sauf US).
KUBO Shintaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMADA Rui [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAMICHI Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAZAWA Shuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUBO Shintaro; (JP).
KAMADA Rui; (JP).
MIYAMICHI Yusuke; (JP).
NAKAZAWA Shuji; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-093246 14.04.2010 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERTER
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置、および光電変換装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The object is to improve the conversion efficiency of a photoelectric converter. This object can be achieved by a photoelectric converter comprising an electrode and a semiconductor layer which is provided on a major surface of said electrode and contains a I-III-VI group compound semiconductor, wherein said semiconductor layer comprises a connection layer, said connection layer being located on the major surface side of the electrode and showing a tendency that, the closer to said major surface, the greater is the quotient obtained by dividing the amount of a I-B group element by the amount of a III-B group element.
(FR)L'objectif de l'invention est d'améliorer le rendement de conversion d'un convertisseur photoélectrique. Cet objectif peut être atteint par un convertisseur photoélectrique comprenant une électrode et une couche semi-conductrice placée sur une surface principale de ladite électrode et contenant un semi-conducteur constitué d'un composé du groupe I-III-VI. Ladite couche semi-conductrice comprend une couche de connexion, ladite couche de connexion étant placée sur le côté de la surface principale de l'électrode et présentant une tendance selon laquelle, plus on se rapproche de ladite surface principale, plus le quotient obtenu en divisant la quantité d'un élément du groupe I-B par la quantité d'un groupe III-B est élevé.
(JA) 光電変換装置における変換効率の向上を図る。この目的を達成するために、光電変換装置は、電極と、該電極の一主面の上に配され、I-III-VI族化合物半導体を含む半導体層と、を備える。そして、該半導体層は、電極の一主面側に位置するとともに、前記一主面に近ければ近いほどI-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値が増大する傾向を示す接続層、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)