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1. (WO2011129149) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR PHOTO-DÉTECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/129149    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/053835
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 22.02.2011
CIB :
H01L 31/10 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
MASE Mitsuhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAMOTO Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI Tomohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJII Yoshimaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MASE Mitsuhito; (JP).
SAKAMOTO Akira; (JP).
SUZUKI Takashi; (JP).
YAMAZAKI Tomohiro; (JP).
FUJII Yoshimaro; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-093180 14.04.2010 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT DETECTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR PHOTO-DÉTECTEUR
(JA) 半導体光検出素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light detecting element (1A), which is provided with: a silicon substrate (2) having a semiconductor layer (20), and an epitaxial semiconductor layer (21), which is grown on the semiconductor layer (20), and which has an impurity concentration lower than that of the semiconductor layer (20); and a conductor, which is provided on the surface of the epitaxial semiconductor layer (21). A photosensitive region is formed on the epitaxial semiconductor layer (21). Irregular recesses and projections (22) are formed at least on the surface (2BK) of the semiconductor layer (20), said surface facing the photosensitive region. The irregular recesses and projections (22) are optically exposed.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur photo-détecteur (1A), comprenant : un substrat de silicium (2) possédant une couche semi-conductrice (20) et une couche semi-conductrice épitaxiale (21) croissant sur la couche semi-conductrice (20) et présentant une concentration d'impuretés inférieure à celle de la couche semi-conductrice (20), et un conducteur implanté à la surface de la couche semi-conductrice épitaxiale (21). Une région photosensible est formée sur la couche semi-conductrice épitaxiale (21). Des évidements et saillies irréguliers (22) sont formés au moins sur la surface (2BK) de la couche semi-conductrice (20), ladite surface faisant face à la région photosensible. Les évidements et saillies irréguliers (22) sont exposés optiquement.
(JA) 半導体光検出素子1Aは、半導体層20と、半導体層20上に成長し且つ半導体層20よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層21と、を有するシリコン基板2と、エピタキシャル半導体層21の表面上に設けられた導体と、を備えている。エピタキシャル半導体層21には、光感応領域が形成されている。半導体層20における少なくとも光感応領域に対向する表面2BKには、不規則な凹凸22が形成されている。不規則な凹凸22は、光学的に露出している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)