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1. (WO2011129133) SUBSTRAT DE CONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/129133    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/051624
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 27.01.2011
CIB :
G01T 1/20 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
TOKURA Fumiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIYA Mitsutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TONBE Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOKURA Fumiyuki; (JP).
SUGIYA Mitsutoshi; (JP).
SUZUKI Shigeru; (JP).
TONBE Takashi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-094234 15.04.2010 JP
Titre (EN) CONNECTION SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE CONNEXION
(JA) 接続基板
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a connection substrate (13) equipped with base member (130) formed of laminated layers of a plurality of dielectric layers (130a-130f), and a plurality of through-conductors (20) penetrating the dielectric layers (130a-130f). A plurality of mutually spaced radiation shielding film (21a-23a) formed integrally with each of the plurality of through-conductors (20), is disposed at two or more layered portions in the dielectric layers (130a-130f). At one layer portion, a region PR1 that projected the radiation shielding film (21a-23a) formed integrally with each of the plurality of through-conductors (20) onto a vertical virtual plane in a predetermined direction, and a region that projected a radiation shielding film (21b or 22c) formed integrally with each of another through-conductors (20) onto a virtual plane in another layered portion, do not overlap each other. This makes it possible to protect from radiation a read circuit of an integrated circuit device, and to suppress an increase in parasitic capacitance.
(FR)L'invention concerne un substrat de connexion (13) équipé d'un élément de base (130) formé de couches stratifiées comprenant une pluralité de couches diélectriques (130a-130f), et une pluralité de conducteurs traversants (20) pénétrant à travers les couches diélectriques (130a-130f). Une pluralité de films de protection contre le rayonnement mutuellement espacés (21a-23a) formant un seul tenant avec chacun de la pluralité de conducteurs traversants (20), est disposée dans deux ou plusieurs parties en couches comprenant les couches diélectriques (130a-130f). Dans une partie de couche se trouvent une région PR1 sur laquelle fait saillie le film de protection contre le rayonnement (21a-23a), formant un seul tenant avec chacun de la pluralité de trous conducteurs traversants (20) sur un plan vertical virtuel orienté dans une direction prédéterminée, et une région sur laquelle fait saillie un film de protection contre le rayonnement (21b ou 22c) formant un seul tenant avec chacun des autres conducteurs traversants (20) sur un plan virtuel d'une autre partie en couches, et qui ne se chevauchent pas mutuellement. Cela permet de protéger contre le rayonnement un circuit de lecture d'un dispositif à circuit intégré et d'éviter une augmentation de la capacité parasite.
(JA) 接続基板13は、複数の誘電体層130a~130fが積層されて成る基材130と、互いに隣接する誘電体層130c~130fを貫通して設けられた複数の貫通導体20とを備える。複数の貫通導体20それぞれと一体に形成されると共に互いに離間した複数の放射線遮蔽膜21a~23aが、誘電体層130c~130fにおける二以上の層間部分に設けられている。一の層間部分において一の貫通導体20と一体に形成された放射線遮蔽膜21a(21b)を所定方向に垂直な仮想平面に投影した領域PR1と、他の層間部分において他の貫通導体20と一体に形成された放射線遮蔽膜22b又は22c(22c)を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。これにより、集積回路デバイスの読出回路を放射線から保護し、且つ寄生容量の増加を抑制することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)