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1. (WO2011128446) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE À SCELLEMENT HERMÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/128446    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/056054
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 15.04.2011
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : SensoNor AS [NO/NO]; P.O. Box 1004 N-3194 Horten (NO) (Tous Sauf US).
KITTISLAND, Gjermund [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
LAPADATU, Daniel [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
JACOBSEN, Sissel [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
WESTGAARD, Trond [NO/NO]; (NO) (US Seulement)
Inventeurs : KITTISLAND, Gjermund; (NO).
LAPADATU, Daniel; (NO).
JACOBSEN, Sissel; (NO).
WESTGAARD, Trond; (NO)
Mandataire : HALEY, Stephen; Gill Jennings & Every LLP The Broadgate Tower 20 Primrose Street London Greater London EC2A 2ES (GB)
Données relatives à la priorité :
10160200.1 16.04.2010 EP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A HERMETICALLY SEALED STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE À SCELLEMENT HERMÉTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for providing hermetic sealing within a silicon-insulator composite wafer for manufacturing a hermetically sealed structure, comprising the steps of: patterning a first silicon wafer to have one or more recesses that extend at least partially through the first silicon wafer; filling said recesses with an insulator material able to be anodically bonded to silicon to form a first composite wafer having a plurality of silicon-insulator interfaces and a first contacting surface consisting of insulator material; and using an anodic bonding technique on the first contacting surface and an opposing second contacting surface to create hermetic sealing between the silicon-insulator interfaces, wherein the second contacting surface consists of silicon.
(FR)L'invention concerne la mise en œuvre d'un scellement hermétique au sein d'une plaquette composite à silicium sur isolant en vue de fabriquer une structure à scellement hermétique, comportant les étapes consistant à : modeler des contours sur une première plaquette de silicium en vue de réaliser un ou plusieurs évidements qui s'étendent au moins partiellement dans l'ensemble de la première plaquette de silicium; remplir lesdits évidements d'un matériau isolant en mesure d'être lié par anodisation au silicium en vue de former une première plaquette composite ayant une pluralité d'interfaces à silicium sur isolant; et utiliser une technique de liaison anodique sur la première surface de contact et une seconde surface de contact opposée en vue de créer un scellement hermétique entre les interfaces à silicium sur isolant, la seconde surface de contact étant constituée de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)