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1. (WO2011126772) CONCEPTION DE MÉTALLISATION DE PILE SOLAIRE OPTIMISÉE DE FAÇON CONTINUE PAR UN TRAITEMENT DE CORRECTION AVAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/126772    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/030021
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 25.03.2011
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
RIORDON, Benjamin, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
LOW, Russell, J. [GB/US]; (US) (US Seulement).
GUPTA, Atul [IN/US]; (US) (US Seulement).
WEAVER, William, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RIORDON, Benjamin, B.; (US).
LOW, Russell, J.; (US).
GUPTA, Atul; (US).
WEAVER, William, T.; (US)
Mandataire : LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
12/754,712 06.04.2010 US
Titre (EN) CONTINUOUSLY OPTIMIZED SOLAR CELL METALLIZATION DESIGN THROUGH FEED-FORWARD PROCESS
(FR) CONCEPTION DE MÉTALLISATION DE PILE SOLAIRE OPTIMISÉE DE FAÇON CONTINUE PAR UN TRAITEMENT DE CORRECTION AVAL
Abrégé : front page image
(EN)An improved, lower cost method of processing substrates, such as to create solar cells, is disclosed. The doped regions are created on the substrate, using a mask or without the use of lithography or masks, After the implantation is complete, visual recognition is used to determine the exact region that was implanted. This information can then be used by subsequent process steps to crate a suitable metallization layer and provide alignment information. These techniques can also be used in other ion implanter applications. In another aspect, a dot pattern selective emitter is created and imaging is used to determine the appropriate metallization layer.
(FR)L'invention porte sur un procédé amélioré et de plus faible coût de traitement de substrats, par exemple pour créer des piles solaires. Les régions dopées sont créées sur le substrat, à l'aide d'un masque ou sans l'utilisation de lithographie ou de masques. Après que l'implantation est achevée, une reconnaissance visuelle est utilisée pour déterminer la région exacte qui a été implantée. Cette information peut ensuite être utilisée par des étapes de traitement ultérieures pour créer une couche de métallisation appropriée et fournir une information d'alignement. Ces techniques peuvent également être utilisées dans d'autres applications d'implanteur d'ions. Dans un autre aspect, un émetteur sélectif à motif de points est créé, et une réalisation d'image est utilisée pour déterminer la couche de métallisation appropriée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)